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在碳化硅MOSFET大范围应用下,其开关瞬态过程愈发引人关注.由于碳化硅比起硅器件有更高的开关频率,因此其开关特性受到结电容和杂散电感的影响.对碳化硅MOSFET开关过程进行瞬态分析,推导了它的开关模型.通过开关模型提取出其电压变化率和电流变化率,在考虑杂散参数的基础之上寻找其与电压及电流变化率之间的联系.仿真及实验通... 相似文献
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此处提出了一种用于电路仿真的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)模型,并且详细提取了模型参数.该模型精确考虑了二极管的反向I-U特性,并且简化了电阻温控模型.模型中的电压控制电流源被分为两个电流源,正向偏置电流源和反向偏置电流源.所提出模型的参数均从数据表中提取.PSpice电路仿真软件已经实现了提出的新模型.与传统的PSpice仿真模型相比,该新模型的准确性更高.同时,此处建立了一个降压变换器来比较SiC SBD和硅(Si)二极管的性能. 相似文献
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