超大规模集成电路

在逝去的二十年间,随着集成电路技术的进展,以计算机为中心的许多系统的性能、可靠性、实用性亦大幅度地得到提高。所谓超大规模集成电路技术就是继之发展起来的一门新技术。其实况如图1所示:正在高速发展的其元件的微细加     

四区自对准选层大电容存储器

当共同研究所于1976年春第一次讨论具体方案时,IBM公司在此前一年就发表了电子束直接曝光的8K位存储器。该存储器单元面积是6.5×19.8=130微米~2,如果改用集成密度来描述时,即相当于0.78M位/厘米~2,因而在大约1cm~2见方面积上集成密度可达1M位,这是研究方案中的大致目标之一。不过,为了实现1M位存储器,现在还有必要进行一些改进。现     

支配半导体器件的微细加工技术

七十年代中集成电路达到了平均每年提高集成度两倍,八十年代逐渐进入了超大规模集成电路(VLSI)的时代,例如,从图1就可看到动态存储器集成度如此提高的情况。按照英特尔公司总经理G·莫尔的看法,集成电路的高集成化主要是由于(1)元件的微细化,(2)芯片的大尺寸化及(3)元器件设计技术的进步。