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1.
常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较
奚正蕾
莘海维
张志明
凌行
沈荷生
戴永兵
万永中
陆鸣
《微细加工技术》
2001,(4):50-55
用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想。两种薄膜的介电 常数基本相同,损耗角正切值在10^5Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制。电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关。
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