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美国伊顿公司半导体部亚洲区经理罗伯特·奥斯本(R.W.Osborn)和该部中国部经理陆亚瑟于今年九月八日至十日访问了长沙电子工业部第四十八研究所。 伊顿公司代表在四十八所所长杨洪普、总工程师张企民及有关人员陪同下参观了该所研制的LC5型200keV中束流微机控制离子注入机,LC4型600keV高能离子注入机 相似文献
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第五届国际离子束设备和技术会议,于1984年7月23日至27日在美国蒙特州举行。参加这次会议的有来自世界18个国家的310名代表,我国派出4名代表参加。会上共发表论文(包括特邀报告)91篇,我国占6篇。会议期间,还举办了有200余人参加的离子注入科学和技术讲座,有12位学者作了讲演,题目是:离子注入的历史发展;离子在硅中的阻 相似文献
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由美国康乐博览统筹公司(Cahners Exposition Group)主办的多国和香港地区半导体工业展览会(Semiconductor International China’85)于1985年4月22日至27日在上海展览馆正式展出,这次展览会是由中国国际贸易促进会上海分会接待,由中国电子工业部、中国电子技术进出口公司及上海仪表电子工业局赞助的。 相似文献
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近年来离子注入已经从实验室进入了工厂,作为一种常规工艺在半导体集成电路制作中得到了越来越普遍的应用。离子束设备在金属材料改性、干法蚀刻……等方面也不断得到了新的应用。越来越多的人在从事离子束设备的使用、制造或研究。离子源是其中最关键的部件之一。正确地选择和使用源的工作物质是发挥设备性能,高效率地获得高质量的离子束以及保护设备和操作者安全的重要条件。 相似文献
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