富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层.通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响.根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱.     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以PECVD为制备工艺,a-SiO2∶H/a-Si∶H为分布式布拉格反射镜的多层膜,a-SiCx∶H为中间腔体发光材料,制备出垂直腔面的发光微腔.根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并在250℃下制备出了这种微腔.将微腔样品分别在不同温度下进行退火,对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究.结果表明,微腔能激射出波长为743nm,半高宽为9nm的光,在350℃退火后发光性能进一步提高,而450℃退火后,性能恶化.     

基于PECVD工艺的a-SiC_x∶H发光微腔的研究

以 PECVD为制备工艺 ,a-Si O2 ∶ H/a-Si∶ H为布拉格反射镜多层膜 ,a-Si Cx∶ H为中间腔体发光材料 ,制备垂直腔面的发光微腔。文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 ,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究。结果表明 ,该微腔性能良好 ,能激射出半高宽为 9nm、波长为 743 nm的荧光峰 ,与设计值70 0 nm基本吻合。     

a-SiCx:H p-i结的电致发光

在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上，利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx：H薄膜，然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构，并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明，器件具有整流效应，正反向电压分别为8V和12V；在正向电压高于8V时，观测到了电致发光。最后，根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以PECVD为制备工艺,a-SiO2∶H/a-Si∶H为分布式布拉格反射镜的多层膜,a-SiCx∶H为中间腔体发光材料,制备出垂直腔面的发光微腔.根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并在250℃下制备出了这种微腔.将微腔样品分别在不同温度下进行退火,对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究.结果表明,微腔能激射出波长为743nm,半高宽为9nm的光,在350℃退火后发光性能进一步提高,而450℃退火后,性能恶化.     

硅基法布里-珀罗微腔的红光发射

以 PECVD 为制备工艺 a-SiO2 = H/ a-Si= H 为分布式布拉格反射镜的多层膜 a-SiC:= H 为中间腔体发光材 料 制备出垂直腔面的发光微腔. 根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 并在 250C 下制备出了这种 微腔. 将微腔样品分别在不同温度下进行退火 对退火前后的微腔进行了反射谱和光致发光谱研究. 结果表明 微 腔能激射出波长为 743nm 半高宽为 9nm 的光 在 350C 退火后发光性能进一步提高 而 450C 退火后 性能恶化.     

基于PECVD工艺的a-SiCx:H发光微腔的研究

以PECVD为制备工艺,a-SiO2;H／a-Si：H为布拉格反射镜多层膜,a-SiCx：H为中间腔体发光材料,制备垂直腔面的发光微腔。文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究。结果表明,该微腔性能良好,能激射出半高宽为9nm、波长为743nm的荧光峰,与设计值700nm基本吻合。