NMOS晶体管的退火特性研究

探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件,高源１００℃下的退火速度远大于室温２５℃下退火速度。２５￣２５０℃下的等时退火,其退火程度接近１６８ｈ的１００℃等温退火。对不同的退火情况,退火偏置的作用是相似的,＋５Ｖ栅偏压退火速度大于０Ｖ栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的     

温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响

对加固型ＣＣ４００７ＮＭＯＳ器件进行了低温（－３０℃）和室温（２５℃）γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果，利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型，分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对ＮＭＯＳ器件迁移率的影响。     

Burn—in对CMOS器件电离辐射效应的影响

MOS管或IC在辐照以前,使其在较长时间内（约200h）处于一定的高温（120℃）下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会产生更大的N管阈值电压漂移,IC会产生更大的漏电流（一个量级以上）,减小器件的时间参数退化。Burn-in效应具有很重要的辐射加固方面的意义：1）不考虑这个因素会过高估计器件的时间参数的衰退,从而淘汰掉一些可用的器件;2）对IC的静态漏电流估计不足可导致器伯提前失效。     

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

电离辐射在MOS结构的SiO2层中建立正陷阱电荷,这些正陷阱电荷在正强栅偏压(+20V)下迅速减少,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO2层隧道注入,从而与陷阱正电荷复合.正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效,对P沟MOS结构也有一定的影响.给出了辐照后的NMOS和PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理     

CMOS器件的x光总剂量效应

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的ＣＭＯＳ器件，在不同情况的ｘ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将ｘ射线辐照的结果与＾６０Ｃｏ辐照的结果比较得出，ｘ射线辐照对器件损伤严重。同时，探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。     

MOS器件加固技术的理论研究

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟 ,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状 3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响。分析得出 ,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流 ,提高抗辐射能力。     

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向 Si O2 层隧道注入 ,从而与陷阱正电荷复合 .正栅压退火不仅对 N沟 MOS结构非常有效 ,对 P沟 MOS结构也有一定的影响 .给出了辐照后的 NMOS和 PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果 ,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理 .     

低剂量率下MOS器件的辐照效应

对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明，偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场，增强了辐照产生电子-空穴对的分离，同时，影响了正电荷（包括空穴和氢离子）的运动状态；此外，偏置对退火同样有促进作用。     

CMOS器件的x光总剂量效应

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。     

PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应

根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。