微氮硅单晶中氧沉淀

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出碳、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度，实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用。     

TEM电子束诱导硅表面氧化的分析

洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。     

超高真空退火及X射线辐照对多孔硅发光膜的影响

研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。     

硅晶片切割损伤层微观应力的研究

作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。     

微氮硅单晶中氧沉滨

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．     

微氮硅单晶中的热受主

本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10~(14)个/cm~3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.     

张力切削法制造超薄钢带的研究

本工作研究了张力切削法制造超薄钢带时所获得的连续切屑带。其扫描电镜的表面形貌与传统的金属切削加工获得的切屑的情况基本相同：呈剪切前沿-层结构。但层宽对切削深度的变化规律在小的切削深度时与传统的金属切削加工时的规律相反。微观应变和显微硬度对切削深度的曲线以及层宽对切削深度的曲线的形状相似,发现三曲线在同一切削深度的坐标处出现极小值。合适的张应力可使超薄钢带切削成形时的形变量降低,形变较为均匀,有助于超薄钢带的成形。张应力可能是通过改变切削时的剪切角起作用的。     

钢的结构、组织和性能

序言本书扼要介绍决定钢的结构、组织,并由此确定机械性能的基本原理。现在金相技术几乎已达到原子鉴别率,故必须在最微细尺度范围内强调结构组织,特别因为机械性能对这种尺度范围的变化很敏感。尽管本书不是一本钢材手册,我仍力图以充分的资料描述能满足实际需要的多种多样钢材。诚然,本书的主要“特点”在于研究分析γ/α相交,如何加以利用,并解释非金属和金属合金元素对于相变及其他一些现象的影响。本书是按冶金工作者、材料科学工作者和材料工程师的需要编写的,不仅可供大学高年级学生考学位之用,也可作为研究生的教材。当然,学生得先具备材料科学、金相学、晶体学和物理学的基本知识才行。     

测量单晶硅片晶面弯曲的X射线方法

本文将单晶硅片的弯曲分成硅片整体弯曲和晶面弯曲两种情况,利用X射线多晶衍射仪和单晶体的结构特性,提出通过确定晶体表面和衍射晶面的法向偏差角来测量晶面弯曲的一种新方法。对(111)硅单晶片的测试表明,将此种方法和其它描述硅片弯曲的方法结合起来,可以成为研究硅片弯曲的有效工具之一。