CI(G)S薄膜太阳电池金属预置层的研究

CI(G)S薄膜太阳电池是目前国际光伏界研究开发的热点.本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.制备时的工作压强、溅射顺序以及预制层的组分等因素都直接影响着预制层的结构特性,从而影响到硒化成膜后的薄膜质量.为了改善预制层的特性,对预制层样片进行了预热处理.实验表明合适工作压强条件下采用多层结构制备并经过热处理以后所得的预制层样片,表面形貌和合金状况都比较好.     

星级酒店客房分户墙的隔声性能影响因素研究

噪声敏感房间之间分户墙的隔声量是使用者和业主方最为关心的问题之一。为了研究影响隔墙隔声量的因素（例如墙体类型、总厚度、材料密度、是否有明显薄弱点等）,本文通过对工程上几种常见的隔墙系统进行了各自分析,并归纳总结各自的优缺点、适用条件及隔声强化措施,为相关从业人员在工程中选择墙体时提供参考,实现声学效果、房间实用面积、施工工艺等方面均达到相对满意的结果。     

掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池

研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。     

聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善

为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。     

掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池

研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。     

聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善

为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。