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高品质羟基磷灰石纳米粉体的制备及物理化学过程研究 总被引:28,自引:0,他引:28
以含结晶水的硝酸钙和五氧化二磷的醇溶液为前驱体精心控制反应过程用溶胶-凝胶法制备出高纯且粒度均匀的纳米级羟基磷灰石粉体.通过TEM,XRD,IR和TG-DTA等方法研究了不同温度下羟基磷灰石合成各阶段的相组成、相结构变化.结果表明,在200、300、400℃反应产量很低,产物主要由Ca(NO3)2、磷酸乙酯和非晶HA组成,随着温度的升高,HA的含量逐渐增多,Ca(NO3)2和磷酸乙酯含量逐渐减少.其中在300、400℃出现少量的β-Ca2P2O7,和CaO.在500℃×2h处理下获得高品质的纳米级HA,与其它溶胶-凝胶法相比,本制备工艺简单,获得HA纯度高,粒度均匀,性能明显好于以前用类似方法所获得的产品,并适合大批量、纳米级HA的生产制备. 相似文献
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偏振超光谱成像技术是一个新兴的交叉技术领域,探索该技术在航天、民用等领域的应用已经成为国内外的重点研究课题,特别是基于声光可调谐滤波器(AOTF)的光谱成像仪,与传统仪器相比,在工作机制和仪器设计上都有着众多的优点。通过研究AOTF的工作原理,分析实验中AOTF偏振光谱成像仪的工作过程,制定了相应的数据采集系统设计方案,并且详细论述了系统基于LabVIEW平台的设计流程,同时给出了各模块的LabVIEW程序设计框图。经过实测实验对系统的功能进行了验证,结果表明:系统能够高效可靠地完成对图像数据的采集与相应仪器的控制,具有一定的研究价值和实用价值。 相似文献
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采用溶剂热法,在160℃下,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,制备Fe3O4/CoO复合纳米粒子;然后采用St觟ber法,在35℃下,以氨水催化正硅酸乙酯(TEOS),制备Fe3O4/CoO/SiO2复合纳米粒子。考察反应物配比、氨水浓度、醇水比对Fe3O4/CoO/SiO2复合粒子磁学性能的影响。对复合纳米粒子采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、交流梯度磁强计(VSM)、差热分析(DTA)等手段进行表征分析。结果表明:Fe3O4/CoO/SiO2复合纳米粒子晶形生长良好,粒径在20nm左右。利用CoO进行表面修饰后,提高了纳米Fe3O4粒子的饱和磁化强度,通过包覆SiO2进行表面改性后,提高了纳米Fe3O4粒子的分散性和稳定性。实验确定了Fe3O4/CoO复合粒子与TEOS的摩尔比1∶2、TEOS与氨水的摩尔比1∶3、无水乙醇与蒸馏水的体积比2∶1为最佳反应物配比。 相似文献
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温度和pH值对羟基磷灰石粉体合成的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
用液相沉淀法制备羟基磷灰石粉体,研究了温度和pH值对羟基磷灰石粉体合成的影响,结果表明:制备的羟基磷灰石粉体纯度较高,随着温度的增加其晶化程度增加,当pH值等于4.5,9和12.4时,制备的粉体分别为β-Ca2P2O7,HA+β-TCP和HA.TEM结果表明:羟基磷灰石沉淀颗粒形态呈针状或条状,其直径约10~20nm,长约100~200nm,当羟基磷灰石粉体加热至900℃时,颗粒发生团聚,晶粒长大,其尺寸约为200~400nm. 相似文献
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PbTe基化合物是一种热电性能优良的中温区热电材料, 但铅的毒性限制了其广泛应用, 因此类似化合物SnTe引起了人们关注。但SnTe的载流子浓度较高和晶格热导率较大使其ZT值较低。本研究利用SnO歧化反应对SnTe热电性能实现了协同调控。热压烧结过程中SnO在500 ℃左右发生歧化反应生成Sn单质和单分散的SnO2颗粒, Sn单质作为自掺杂可以填充SnTe中的Sn空位, 导致载流子浓度降低: 相比于SnTe基体, SnTe-6mol%SnO样品在600 ℃下的电阻率从6.5增大到10.5μΩ•m, Seebeck系数从105增大到146μV•K-1。同时, 原位反应生成的SnO2第二相单分散于晶界处, 多尺度散射声子传播而降低晶格热导率, SnTe-6mol%SnO样品晶格热导率在600 ℃下仅为0.6W•m-1•K-1, 相比于基体下降了33%左右, 从而使SnTe体系的热电性能得到明显提高。最终, 当SnO加入量为6mol%时, 样品在600 ℃下的ZT值~1, 相比于基体提升了一倍左右。 相似文献
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多孔羟基磷灰石的研究现状与发展 总被引:3,自引:0,他引:3
本文综合论述了多孔羟基磷灰石的制备工艺及基本原理,介绍了多孔羟基磷灰石的各种性能,并提出了多孔羟基磷灰石研究中现存的一些问题,预测了今后研究的发展方向. 相似文献
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SnO2电子传输层(ETL)、钙钛矿薄膜及它们界面中的各种缺陷导致的非辐射复合损失极大地阻碍了柔性钙钛矿太阳能电池(PSCs)性能和稳定性的进一步提高.因此,迫切需要开发有效的策略来解决这些问题.在此,我们将多功能材料磷酸乙醇胺(PE)添加到SnO2水溶胶中以抑制缺陷并制备高质量的ETL.结果表明,由于新共价键Sn–O–P的形成, PE的引入可以显著减少Sn悬挂键的数量,这有利于改善SnO2的电学特性和获得致密的SnO2薄膜.同时, PE分子的氨基(NH2)基团可以与钙钛矿中未配位的Pb2+相互作用,从而抑制SnO2/钙钛矿界面缺陷和改善钙钛矿薄膜质量.相应地,基于SnO2-PE复合ETL的柔性和刚性PSCs实现了优异的光电转换效率,分别为18.48%和21.61%.此外,基于SnO2-PE的柔性PSCs呈现出良好的弯曲耐久性,在1000次弯曲循环后仍保留初始效率的90.6%. 相似文献
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InSb是一种具有闪锌矿结构的窄带隙半导体,在光电探测器、红外热成像、霍尔器件等领域有着广泛的应用.良好的能带结构、超高的电子迁移率和无毒性质表明In Sb可能是一种潜在的中温热电材料.In Sb当前面临着一些关键挑战,如高导热系数和小Seebeck系数,导致其超高的晶格导热系数,进而低的ZT值.鉴于此,我们发展了一种z wt%QSe2 (Q=Sn, W)纳米复合的高效策略,即通过对二维层状QSe2的纳米复合,在In Sb体系中引入QIn+和SeSb+点缺陷.此外,本征WSe2的价带作为势垒可以散射相当数量的空穴载流子,导致本征激发阶段的Seebeck系数升高.此外,无序分布的纳米片/粒子和位错可以有效地阻碍热流扩散,形成热声子的强散射.结果表明, 3%WSe2样品的功率因子提高到~33.3μW cm-1K-2, 733 K时ZT值提高到~0.82,工程输出功率密度ω<... 相似文献
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