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1.
在一次程序研究的基础上,针对K次程序的特性和构造理论研究不足问题,以形式化的定义阐明了K次程序的特性,并研究了K次程序的构造条件和构造方法.给出了不可以构造为K次程序的程序特性,为K次程序的构造提供了必要条件;描述了一类可以构造为K次程序的程序特性,以及这类程序的基于一次程序的K次程序构造方法和证明,从而为K次程序的构造提供了理论基础.  相似文献   
2.
现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明:与传统的最大圆模型、最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有了很大的提高。  相似文献   
3.
IC制造中真实缺陷轮廓的分形特征   总被引:6,自引:1,他引:5  
为了进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的.然而,真实的缺陷的形貌是多种多样的.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征.该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索  相似文献   
4.
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果。该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。  相似文献   
5.
IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的.然而,真实的缺陷的形貌是多种多样的.本文讨论了缺陷轮廓所具有的分形特征.该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益的探索  相似文献   
6.
IC缺陷轮廓的分形插值模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
现用于集成电路(IC)成品率预报及故障分析的缺陷模型均是用圆或正方形来代替真实缺陷的复杂轮廓进行近似建模的,从而在模型中引入了很大的误差。本文利用分形插值的思想直接对真实缺陷的轮廓进行模拟,从而提出了一种新的缺陷轮廓表征模型。实验结果表明:与传统的最大圆模型,最小圆模型及椭圆模型相比,新模型的建模精度有很大的提高。  相似文献   
7.
本文对现有的IC制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较,得到了一些有意义的结果,该结果为进行有效的集成电路(IC)成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。  相似文献   
8.
马国峻  裴庆祺  姜晓鸿 《通信学报》2012,33(Z1):282-286
提出了一种博弈控制模型。博弈的控制者是全局理性的,并依据控制目标来选择策略,迫使被控者依据个体理性原则选择控制者期望的策略,从而实现全局的优化控制。在此基础上,分析了DRM价值链实体的关系和行为,建立了DRM博弈控制模型,讨论了内容提供商如何作为博弈的控制者选择全局优化策略,以实现和用户之间稳定的互利共赢,为DRM的合理应用提供了理论指导。  相似文献   
9.
对现有的IC制造中丢失物缺陷轮廓的建模方法进行了比较,说明现有方法存在的问题并得到了一些有意义的结论;分析了IC制造中丢失物缺陷轮廓具有的分形特征,实现硅片表面丢失物缺陷的精细表征及其计算机模拟打下了基础。  相似文献   
10.
IC制造中的真实缺陷轮廓表征方法研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
姜晓鸿  郝跃  徐国华 《电子学报》1998,26(2):11-14,30
为了进行有效的集成电路成品率预报及故障分析,与光刻有关的硅片表面缺陷通常被假定为圆形的或方形的,然而,真实缺陷的形貌是多种多样的,本文提出一种准确的缺陷表征模型。该模型考虑了缺陷的真实轮廓,并且针对短路和开路模式,在引起故障概率相同的意义下将起初缺陷等效为缺陷,实现了硅片表面缺陷的精细表征。  相似文献   
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