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CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上的不同之处,分析电路上存储电荷的机理和原因,主要是由于电路在生产和使用环境中受到静电源的感应以及电路和其他物体或空气的摩擦等造成。详细分析器件充电模型引起电路损伤的失效机理,器件充电模型作为一个电荷驱动型,其电流方向主要是由电路内部向外部流动,其电流大、上升速度快,会对电路的栅极造成损伤。 相似文献
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外壳热沉是集成电路的重要组成部分,外壳镀层质量是影响可靠性的直接因素。目前主要通过目检法来检测镀层的裂纹等缺陷,但由于人员经验的差异,可能会导致检测结果存在差异,且该方法的结果追溯性较差。超声扫描显微镜是一种无损检测设备,被广泛地用于检测塑封集成电路的分层、裂纹和空洞等缺陷,具有较高的分辨率。因此,基于超声扫描显微镜,对外壳热沉镀层的可靠性进行了评价。试验结果表明:超声扫描显微镜能够快速有效地检测出外壳热沉镀层缺陷,并保存检测图像,检测结果的可追溯性较强,可以为镀层缺陷的可靠性评价提供参考。 相似文献
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CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验。该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力。 相似文献
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随着晶圆测试技术的发展,晶圆级传输线脉冲(TLP)测试逐渐由封装级向晶圆级转移,晶圆级TLP测试的出现不仅降低了设计成本,同时大大缩短了ESD保护结构的评价周期。针对晶圆级TLP测试方法尚无标准可依的现实情况,结合理论推导过程,从线路搭建、设备校准、结果确认等关键点探索可行而有效的晶圆级TLP测试方法。 相似文献
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筛选试验是包含温度应力、电应力、机械应力的多种试验,能够有效地剔除设计和制造方面存在缺陷的集成电路,是集成电路应用高可靠性的重要保障。若筛选试验的条件方法、操作和工装夹具等选择不当,可能会使得集成电路外观产生缺陷,常见的缺陷有掉标、引脚变形、瓷损和沾污等。筛选试验的目的是减少存在的缺陷,试验过程中产生外观缺陷是不可接受的,也是质量管控的重要要求。因此,通过对筛选试验过程中的外观缺陷进行分析,探究了筛选试验中影响外观的因素,以减少质量事件的发生,保证集成电路的可靠性。 相似文献
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