Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。     

面向智慧高速网络节点边缘处理器的资源配置优化

随着B5G时代的到来,边缘计算被广泛用于处理智慧高速网络节点的海量原始数据.但在实际应用中,基于设备成本的考虑,大量边缘处理器并不会配置较为充裕的冗余性计算资源和存储空间,在处理突发事件时可能无法合理分配资源而出现高时延、宕机等问题,进而影响智慧高速公路系统的稳定性和可靠性.为此,提出了一种面向智慧高速网络节点边缘处理...     

手机背光驱动电荷泵电路的设计

介绍了为手机背光驱动而设计的电荷泵电路．详细讨论了其中的四大模块电路：带隙基准、温度保护、振荡器、控制电路的电路结构、工作原理、性能特点。     

NMOSESD保护器件直流仿真模型设计

本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究.并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型.该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻.提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法.仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性.     

一种用于白光LED驱动的电荷泵电路设计

本文设计了一种用于白光LED驱动的电荷泵电路,可驱动4个白光LED,为彩屏LCD提供背景光源,单路最大输出电流20mA,采用数字调光方式,提供32级亮度输出。电路主要由数字调光、开关管、振荡器、带隙基准、温度保护、软启动电路等组成。本文详细讨论了其中的三大模块电路:数字调光、开关管、振荡器的电路结构、工作原理和性能特点。仿真结果表明,该电路功能与预期设计目标相符。     

0.6 um工艺NMOS ESD保护电路版图优化

本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围:提出了用于I/O PAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用.     

双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强

基于深度学习的雨滴图像增强方法普遍存在高度依赖配对样本数据集,雨滴去除后图像背景细节模糊等问题。对此,本文提出一种双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强方法。该方法设计构建弱监督雨滴图像增强网络,仅需来自雨滴图像域与干净图像域的图像进行训练,可有效降低对配对样本数据集的依赖性;同时,将双重注意力引入生成网络,引导特征提取与多分支掩模生成,掩模同输入的雨滴图像融合后,获得背景清晰的干净图像,实现雨滴图像增强。实验结果表明,该方法在Raindrop数据集上PSNR达到27.0711 dB,SSIM达到0.8996,更好地保留了图像背景细节与颜色信息,证明该方法的可行性与有效性。     

0．13μm GGNMOS管的ESD特性研究

当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0．13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了。分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。     

电压型CRM Boost PFC小信号建模分析与补偿设计

介绍了一种工作电压控制模式下的CRM-Boost功率因数校正(PFC)电路的小信号模型推导过程,该方法是在传统的态空间平均法已不再适用的情况下,采用电流注入等效电路的方法来推导其数学模型,并在小信号数学模型的基础上设计了控制环路的补偿网络。最后在专业开关电源设计仿真平台SIMetrix/SIMPLIS中实现了一个10 W的CRM-Boost-PFC实例设计,仿真验证了该小信号建模方法和补偿设计的合理性。