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本文叙述利用液封法研制Ga_xIn_(1-x)As单晶的工艺和这种单晶的电学特性.三元合金料用直接合成法制备.拉晶速度为每小时3毫米左右.研制的三元单晶的组分为0.92≤x<1.组分沿单晶的长度方向分布比较均匀.Ga在Ga_xIn_(1-x)As单晶中的分凝系数大于1,并随合金熔体中Ga组元含量降低而增加.室温下Ga_xIn_(1-x)As单晶的载流子浓度和电子迁移率分别为n(?)10~(15)cm~(-3)和μ=4～6×10~3cm~2/V·s.最后讨论了合金散射和晶格失配对晶体性质的影响. 相似文献
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本文分析了Ga_(0.47)In(0.53)As材料生长中影响材料组分变化的因素,简要地给出了生长合适组分外延层的料源配制公式及其应用结果.采用适当的生长工艺可使外延层的横向组分平均偏离控制在±1.0%以内,纵向组分平均偏离在±1.4%以内,一源多炉生长的炉间外延层组分的平均偏离在±2%以内.分凝系数测量结果说明:三元层的生长主要是与组分的扩散密切有关,而与生长界面的动力学因素关系不太紧密. 相似文献
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