拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响

本文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性，分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系，实验结果得出：改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的影响，而拉晶的速度对之影响较小。     

制作高集成度动态RAM的各种单管单元结构的综合比较

大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成为主流的单管单元分为几种。作者通过综合性的评价,主张对高集成度动态RAM采用低阻材料的字线形成的折叠式数据线最为合适。 集成度一但从256K位提高到1M位以上,信号电荷量的减少就成为问题。为了改善这一点,作为单管单元介绍堆积型和开槽型结构。也要涉及到最近的CMOS化的倾向。作者认为,最重要的是成本,目前尚未见到能取代单管单元的实用单元。     

MN41256型256k DRAM

半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态RAM(64kDRAM)的下一代产品的256kDRAM现已达到     

半导体生产工厂中的无尘化及生产设备中的问题

随着半导体器件的高集成化和高密度化,对于制造这些器件的工厂及其环境等也提出了进一步全面改善的要求。例如,在净化房间方面,已经要求使用10级乃至1级的净化间,而在支配器件成品率的粒子尺寸方面,甚至直径为0.1μm的粒子都已经会影响成品率了。     

高温退火对PECVD硅化钛膜的影响

<正> 一、引言 以TiSi_2为代表的难熔金属硅化物,由于具有铝及掺杂多晶硅所不具备的特点,已成为VLSI中制作栅电极和互连线的重要材料。CVD法制备硅化钛膜的突出优点是台阶覆盖性好,有利于批量生产。然而,用卧式PECVD制备硅化钛膜的方法至今尚未见报道。 PECVD法淀积的硅化钛膜,必须经退火结构才能稳定。目前,常用瞬态退火和常规热退火(高温退火)两种方法。常规热退火能和常规工艺兼容,而瞬态退火则可减少原子的互扩散。 笔者用平板型PECVD设备,在典型工艺条件下淀积了薄膜,分析了高温退火对薄膜电阻率、组分、结构的影响。     

外延CVD设备

CVD设备 欲使器件具有高可靠性,则须实现器件的高性能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态今后仍将保持下去。特别是,由于微细加工技术的进步,半导体器件制造技术必将产生实质性的重大飞跃。如图1所示,对于器件的动向     

用于0.5μm 门阵列的存储器宏单元构成方法

<正> 1 前言随着微细加工技术的进展,门阵列在高性能、高集成方面向前飞速发展着。最近发表了一些可搭载门规模为100K 门以上的大规模、全面敷设型门阵(SOG)。在此状况下,我们(NTT 电子技术设计部、NTTLSI 研究所)开发了面向通信用 LSI 的0.5μm250k 门 CMOS 门阵列。本文以高速、高集成度为特点的电路、设汁布局技术为中心,阐述大规模门阵列中必需的存储宏单     

有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制

本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。