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本文提出了一种灵敏方便的MOS电容瞬态电流-电容法,即I-C法,应用它可直接从MOS电容相关的瞬态电流I-t和瞬态电容C-t曲线方便地测定出耗尽层中少数载流子的体产生寿命分布τ_g(x_d)和表面产生速度S_g等参数.文中导出和分析了MOS结构较普遍的瞬态电荷、电流和电容方程,以及界面态密度N_(ss)(E_s)、寿命τ_g(x_d)和(τ|-)_g(x_d)、S_g的计算公式.从τ_g分布的测定结果可见,MOS结构中在约3μm宽的界面层内,从体内向界面τ_g明显下降. 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n^+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型,运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数-势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。 相似文献
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炉温自动控制仪是半导体器件等工艺线上的一种重要设备。为提高产品质量、生产效率和降低工人劳动强度,对工艺线上的氧化、扩散和合金等高温炉普及炉温自动控制,是许多半导体器件厂迫切希望解决的一个问题。为响应华主席为首的党中央抓纲治国、大干快上、实现四个现代化的伟大号召,为有利于半导体器件厂自力更生多快好省地改造现有设备。我们试制了一种新型的、结构简单、性能良好、易于制造、造价很低的集成化炉温自动控制仪。 相似文献
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