基于负载牵引测试系统的功率管参数提取

对微波功率固态器件进行负载牵引测量是一项有重要意义的基础研究工作.利用负载牵引自动化测试系统对工作频率为1.2～1.4GHz的某硅双极型晶体管进行了负载牵引测量.首先介绍了负载牵引法测试功率管大信号参数的基本原理和测试系统组成,其次对测量过程中的关键技术进行了详细的说明,并提取出器件的大信号阻抗参数.测量结果表明,通过负载牵引测量可获得具有重要参考价值的功率等值线阻抗圆图,从而可为大功率宽带匹配网络设计提供参考.     

非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷

用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜（TEM）、电子探针X射线微区分析（EPMA）和扫描电镜能谱分析（EDX）等手段，对φ76mm非掺杂（ND）半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明：在晶体周边区域，由高密度位错运动和反应形成胞状结构，该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界，且位错与微缺陷有强烈的相互作用：杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低，存在条纹分布。     

大直径LEC Si—GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析

本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter光能转换器）Si—GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明，大直径LECSi—GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布，中心区域比较高，靠近中间区域最低，边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式，其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响，同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布，也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。     

微波环行器、隔离器在雷达固态发射机中的应用

微波环行器、隔离器在雷达固态发射机中得到了大量应用,其性能优劣是影响装备性能的重要因素之一,至今仍具有无可取代的地位。简要介绍了该类型器件的基本概念,详细分析了其在雷达固态发射机中的作用,阐述了现代雷达固态发射机对微波环行器、隔离器的迫切需求,结合目前该类型器件存在的技术瓶颈,指出了发展趋势。     

追加人力资本投资研究

引入了美国学者雅各布明塞尔教授人力资本贬值——追加投资模型,分析了人力资本贬值的原因,对人力资本追加投入的机理进行了讨论;指出人力资本的追加投入在我国的现实意义,并对其追加投资方式进行了探讨.     

Ni-Ti/SiC系统的润湿及界面反应产物研究

采用座滴法研究了Ni-Ti粉末在SiC陶瓷界面的润湿行为，结果显示，Ti含量增加、温度升高、保温时间延长，Ni-Ti／SiC陶瓷系统润湿性均得到改善。界面区域的SEM、EDS、XRD分析表明，活性元素Ti在界面富集形成富Ti化合物区域，可能生成的产物相有TiSi2、Ti5Si3、TiC、Ti2Ni和Ni3C，产物类型与金属粉料原始组分及润湿条件有关。当Ti含量为Ni-Ti粉末焊料的50％（质量分数）时，其产物为以TiC、Ti2Ni为主含少量Ni3C的混合物，借助于Ti2Ni的液相传质和TiC与SiC陶瓷良好的晶格匹配关系可以实现界面的良好润湿。     

大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.     

细菌生物膜酶学消解的新方法

细菌生物膜是细菌自身分泌的胞外多糖与菌体粘连而成的结构群体。生物膜赋予了细菌许多新的生物学性状,它通过黏附、定量、抗吞噬和对环境的高耐受性而突现其在医学中的重要意义,且对常用抗菌素都不敏感。故寻找控制细菌生物膜的有效措施已成为当务之急。研究表明,噬菌体能产生     

大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析

本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。     

半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究

本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)中本征缺陷的影响。实验结果表明,晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响;真空条件下,在850~930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅,砷沉淀数量增加;真空条件下,高于1100℃热处理后,砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化,本文对其机理进行探讨。