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MOS电路的版图图形设计方法,大致可划分为三种:任意布线法、基本单元图形标准化法、PLA设计方法。本文用前三部分分别介绍这三种方法。第四部分对这三种方法进行比较,第五部分介绍复杂逻辑电路版图的总体考虑。 相似文献
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本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。 相似文献
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本文报导了一种VMOS管(VMOST)及其制造方法。并从理论上分析了这种短沟VMOST的阈值电压,指出了工艺上的控制方法。介绍了VMOS短沟道器件具有高击穿电压高截止频率的优点。并可以用作功率器件。 相似文献
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在MOS LSI中,由于集成度的提高,无论是在片还是脱片都对驱动器提出了更高的要求。既要能驱动较大的电容负载,又要能驱动较大的电流负载,既有电平的要求,又有速度的要求。在MOS LSI中,驱动器是各种各样的,如电阻、晶体管负载反相器,推挽输出器,双向驱动器,自举电路等等。现在介绍他举电路,因为他举电路一举满足上述诸要求。这在我们研制 相似文献
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