键合过程中金属间化合物形成区域的分布研究

近年来,在半导体集成电路封装工艺中,金线逐渐被铜线所取代,以获得更低的制造成本、更优异的电学/热学性能和更高的产品可靠性.然而,由于铜线比金线硬度高且易氧化,使得在焊线工艺中铜铝金属间化合物(Intermetallic Compound,IMC)没有传统的金铝金属间化合物致密度和覆盖率高,容易对焊盘下方的电路造成机械损...     

微量沉积氯对焊点腐蚀过程的影响

不同金属间存在电位差,被硫、氯等污染的焊点易产生原电池腐蚀,这将降低焊接产品的可靠性,缩短产品的寿命。因此,焊点的腐蚀问题受到人们的高度重视。以镀钯铜线的球栅阵列（BGA）产品为研究对象,通过能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）等实验手段,首先分析了多焊点同时被氯腐蚀的影响因素,再将焊点表面划分为上表面、侧表面以及界面3个区域,并对各区域进行腐蚀分析和验证,最后得出氯腐蚀焊点的腐蚀机理。实验结果表明：1）氯腐蚀难易程度的主要影响因素为IMC的致密度和镀钯层上的铜露出面积,IMC的致密度越小,镀钯层上的铜露出面积越大,氯腐蚀越容易发生;2）焊点腐蚀路径表现为氯沿铜球表面向铜球与IMC的界面迁移的过程;3）焊点烘烤时间越短,焊点表层上钯的覆盖率越大,焊点被氯腐蚀的概率越低。     

铜引线键合中芯片焊盘裂纹成因及消除研究

由于铜线硬度大和0.18μm技术芯片的结构复杂,在电子封装铜引线键合的大批量生产中,铜引线键合后芯片的焊盘上容易出现裂纹,造成了严重的质量缺陷。基于0.18μm技术芯片,利用ASM引线键合机型,研究了焊盘上产生的裂纹典型形貌和消除方法。首先分析现有铜引线键合参数下的裂纹形貌作为对比基准,然后通过全因子实验设计(DOE)分析产生裂纹的主要参数,再通过微调不同的参数来降低裂纹数量以及最后消除裂纹。实验中收集的数据类型有引线键合后铜球直径的大小、拉球值、推球值、金属间化合物的覆盖率及裂纹数量等。实验结果表明:1)在铜引线键合过程中存在塑性形变,大的塑性形变能够促进裂纹的形成;2)影响裂纹产生的主要参数为铜引线键合中的超声波输出各阶段键合功率,包括待机功率、预键合功率、键合功率;3)在初始键合接触阶段,设置较大的搜索速度、接触阈值和初始键合压力都有利于裂纹的消除;4)在铜引线键合的预键合阶段,相关的摩擦运动参数,如预键合功率、预键合摩擦运动的周期数及幅度等参数设置过大,不利于裂纹的消除,反而使裂纹数量迅速增长。通过实验研究得出了消除电子封装铜引线键合中的0.18μm技术芯片焊盘上裂纹的途径,可为相关芯片的铜引线键合技术及产品生产提供参考。