未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱

采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n~0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α~(-1)。     

掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究

文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互作用。并给出了铁能级在禁带中的确切能量位置。     

分子束外延中硅衬底热应力产生缺陷的研究

本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着高密度的位错网络,在高的温度梯度区有晶粒间界及多晶存在,并伴有扭曲和不平整,在样品中央部份生长状态较好的锗硅合金层超晶格有部份应变会弛豫而转化为失配位错,这严重影响锗硅超晶格的质量.采用新结构的石英样品座改善了样品温度均匀性,并消除外加应力的影响,己可生长出高质量的锗硅超晶格.     

金属/有机高分子膜/n-InP肖特基势垒

本文介绍用有机高分子膜(LB膜和聚酰亚胺)代替n型InP肖特基势垒二极管中的薄氧化层,所得到的肖特基势垒二极管的势垒高度大于0.7eV,反向漏电流小于2.3×10~(-5)A/cm~2,性能稳定.还叙述了有机高分子膜的制备方法,电学测量结果,并与金属/薄氧化膜/n-InP肖特基势垒进行了比较,同时讨论了该法的优缺点.     

结区中存在量子阱结构样品的C－V特性分析

对不同组分、阱宽和垒宽的锗硅单量子阱和多量子阶样品的Ｃ－Ｖ特性及其与温度的关系进行了测量，并用数值方法解油松方程模拟计算了单量子阱样品的Ｃ－Ｖ特性及其Ｃ－Ｖ载流于浓度分布．实验和模拟计算的结果均表明，Ｃ－Ｖ载流子浓度分布在量子阱位置有一个浓度较高的峰值，它反映了被限制在阱中的载流子的积累，峰高随着量子阶异质界面的能带偏移的增加而增加．低温时由于阱中载流子的热发射几率变小，阱中载流于浓度的变化跟不上测试电压的频率，造成电容值显著变小．     

快速热退火在硅中引入的缺陷的研究

快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。     

电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质

本文介绍用1.3MeV电子束对p~ in~ 二极管进行辐照,得出了少子寿命随辐照剂量增加而减少的结果。辐照造成的缺陷主要为双空位。辐照器件工作稳定可靠。     

电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。     

炼油蒸汽管网模拟与监测管理系统

介绍了利用计算机技术建立的炼油厂蒸汽管网模拟与监测管理系统。通过该系统能在线监测整个管网系统，以保证管网优化节能运行。