低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究

文章以正方形单胞为例，较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系，重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW／PT与Xjp-和Tox的关系，最后阐述了器件的最佳化设计思想。