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为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED).设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为:CrOx/Cr/1TO/Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配.以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14.7:1.这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果,对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。 相似文献
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TFT-LCD能否赢得大尺寸显示市场 总被引:2,自引:0,他引:2
主要介绍了液晶面板发展中伴随着母基板尺寸越来越大所需的技术革新.如喷墨法的使用、掩膜板与溅射工序的取消以及制造成本的缩减等。 相似文献
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发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望. 相似文献
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为了增加电子注入,蓝色有机电致发光器件中通常包含一层由发绿光的Alq组成的电子传输层,因此器件的发光常常不可避免地要出现Alq本身的发光从而影响器件的发光色纯度.在以胺类衍生物(N,N'- diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'biphenyl-4,4'diamine,TPD)为空穴传输层,DSA衍生物(4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl, DPVBi)为发光层,当用Liq为电子注入层与Al结合构成复合电极时所制备的双层单异质结蓝色有机电致发光器件中由于去除了Alq而得到色度纯正的DPVBi的发光,同时又保持了较高的发光效率. 相似文献
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掺杂型有机电致发光器件中载流子的俘获机制 总被引:3,自引:0,他引:3
掺杂型有机电致发光器件中,掺杂剂的发光来源于基质的能量传递或者来源于掺杂剂对载流子的俘获,也有可能两种机制同时存在。为了揭示掺杂型器件发光中究竟哪种机制占主导,以联苯乙烯衍生物(amino substituteddistyrylarylenederivative,BCzVB)掺杂4,4‘ 双(9 咔唑基) 1,1‘ 联苯(4,4‘ N,N‘ dicarbazole biphyenyl,CBP)为发光层的器件中,通过电流 电压特性的分析表明器件的发光主要来源于载流子俘获机制。光致发光与电致发光对比分析也表明,器件的发光过程中载流子俘获机制起了主导作用。 相似文献
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综述了有机电致发光器件中阴极界面修饰的材料、方法和分类.着重介绍了LiF/Al薄绝缘层/金属复合电极在小分子和聚合物器件中的实验结果和各种原理分析,同时阐述了使用薄绝缘层/金属复合电极作为阴极界面修饰的能级模型和理论模拟. 相似文献
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