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针对射频识别定位系统中RSSI线性定位算法的边界标签定位精度低问题,提出了一种改进的算法.该算法在边缘区域布置参考标签,并在这些布置参考标签的区域采用LANDMARC算法,而其它区域仍采用RSSI线性定位算法.使用MATLAB软件对算法进行仿真,结果表明:针对边界区域的定位标签,改进的算法比RSSI线性定位算法具有更好的定位精度,提高了整体定位区域的定位准确性;与LANDMARC算法相比,改进的算法由于使用较少的参考标签,所以降低了成本并且减少了算法的运行时间,从而提高了定位系统的实时性. 相似文献
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毛陆虹 《电子测量与仪器学报》1991,5(2):52-56
本文研究了选频电压表在测量调频信号时由信号的频偏引起的有效值检波误差,给出了误差表达式,进行了数值计算,进而导出了误差近似公式,并讨论了其应用范围。 相似文献
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InP单晶材料现状与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(VGF)0垂直布里奇曼技术(VB)等。对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向。还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素。 相似文献
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单行载流子光电二极管与共振隧穿二极管单片集成器件是一种新型高速光电探测器,也是高速光电单稳双稳转换逻辑电路的一个基本单元。用Atlas软件对该集成电路单元进行了直流和交流特性的模拟研究,模拟得到的3dB带宽最高可达9THz。模拟发现,光照强度、吸收层厚度、掺杂浓度、收集层浓度是影响器件3dB带宽的主要因素。研究了器件材料参数、结构参数与器件3dB带宽之间的关系,并得到在现行工艺下优化后的单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的工艺参数,模拟出3dB带宽为1.03THz。同时,对器件模拟和半导体工艺间的误差进行了分析和估计。这一工作为单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的设计和研制提供了工艺参数基础。 相似文献
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This paper presents a millimeter wave (mm-wave) oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition (LS) technique breaks through the limit of cut-off frequency (JET), and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density. 相似文献
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