太阳电池薄膜材料CFD数值模拟及优化策略研究

主要研究对象为GaInP太阳电池薄膜材料,生长参数采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应室内气体热流场CFD的数值模拟结果,通过动力学蒙特卡洛(KMC)法对薄膜的生长过程进行计算模拟,得到了数据的分布形式及通信的优化策略并同时降低通信开销,在已知沉积条件的情况下对以大量粒子为基础的薄膜的生长情况进行了仿真分析,这有效地解决了计算机单机能力不足的情况,同时大大降低了仿真的时间。经过分析可知,模拟所得结果与试验结果一致,这为优化在MOCVD技术下GaInP薄膜生长的工艺参数提供了一定的理论依据。     

基于单片机的太阳能路灯红外控制器

针对太阳能路灯的特点,对原有的太阳能路灯控制系统进行了改进,实现了红外远程控制的功能。系统以PIC单片机为核心,可完成参数的远程设置;能返回并显示路灯的各项参数,实现自检功能;红外收发编解码均由软件实现,省去了专门的编解码芯片,节约了成本。实践证明,本系统稳定可靠,实用性强。     

采用可复位延迟链形成无谐波、快速锁定的延迟锁相环

为提高锁定速度,一种带单步复位（RES）延迟链的全数位延迟锁相环（ADDLL）得以发展。随着新的可复位技术的发展,DLL快速锁定和无谐波的特点逐渐显现。主要在常见的DLL电路中加入可复位延迟链,采用SI MC 180 nmCOMS工艺,并采用Synopsys的HSI M仿真器对电路进行仿真。仿真结果显示,改进的DLL工作频率范围可达50～250 MHz,锁定时间明显减小,且无谐波信号。     

基于各种快速Spice仿真器的Post-Layout寄生效应验证

现在的深亚微米工艺使用复杂的多层金属结构与先进电介质材料,随着工艺的进步,集成电路的器件尺寸越来越小,金属互连线做得越来越细,金属互连产生的寄生效应对电路性能的影响也越来越明显,各种各样的问题譬如由耦合电容产生了串扰噪声和延迟,IR drop引起的电压降,高电流密度引起的电迁移效应,以及混合信号设计中DC-path泄漏已经成为非常普遍的问题。对于整个芯片,在post-layout仿真时加上提取的寄生参数,有助于在设计中精确地分析每个寄生效应。快速Spice仿真器具有大的数据处理的容量和高的处理效率,因此这种仿真流程在设计中已经被广泛地应用。讨论如何在各种模式的仿真器(如UltraSim,NanoSim和HSIM)中选择合适的仿真器来进行post-layout仿真,以及不同的选择会有什么样不同的结果,另外还将对一些post-layout仿真结果进行分析。     

应用于DRM/DAB接收机的压控振荡器设计

论文基于SMIC0.18umCOMS工艺,设计一种宽频低功耗低相位噪声的CMOS压控振荡器,电路采用差分LC振荡器,同时采用积累型MOS可变电容、缓冲电路及经改良的开关电容阵列,以降低功耗和相位噪声,由仿真结果可知,电路频率调谐范围为2.5G~3.1G,频偏为1MHz时相位噪声分布在-118dBc/Hz~-122dBc/Hz,工作电流小于10mA,满足设计要求,可应用于DRM/DAB接收机。     

4-bit FLASH ADC行为级建模与仿真

基于Matlab/Simulink的平台,设计并实现了一种新型的单通道4-bit FLASH ADC行为级仿真模型,模型充分考虑到时钟抖动、失调电压、迟滞效应、比较器噪声等非理想特性,使整个系统更逼近实际电路。在输入信号为1 GHz,采样时钟频率为500 MHz时,对非理想模型进行时域及频域分析,创建的模型和系统仿真结果可为ADC系统中的误差、静态特性及动态特性研究提供借鉴。     

晶体硅太阳电池漏电检测与修复

通过红外热成像无损检测技术拍摄晶体硅太阳电池表面的热分布图,来确定电池漏电的位置。结合金相显微镜、扫描电子显微镜等分析仪器发现一种新的漏电类型,由多晶硅太阳电池表面附着密集的腐蚀坑所引起的漏电,该漏电成因异于电池片表面的刮伤。采用波长为1 064和532 nm的激光器作为修复漏电电池片的工具,从隔离槽的绝缘性和切断电池片的PN结所需要的槽深作为研究内容,实验了三种不同的修复方案,通过测试并对比修复前后电池片的电性能参数来探索激光器修复漏电所需要的工艺。实验结果表明:当激光束第二次经过槽内时,可以使槽内残留的硅和金属颗粒完全气化,增加了槽的绝缘性,修复效果优于一次刻槽。为使漏电电池片得到有效的修复,激光刻槽的深度需在30μm以上,而非理论上的几个微米。