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主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。 相似文献
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知识产权保护工作关系国家治理体系和治理能力现代化,关系高质量发展,关系人民生活幸福,关系国家对外开放大局,关系国家安全。近年来,将他人未注册的商标、姓名、企业名称恶意抢注为自己的商标,伪造、变造实验数据,抄袭、拼凑公知技术来提交专利申请等失信行为屡见不鲜,受到越来越多关注。这些行为不仅破坏知识产权确权秩序,挤占知识产权管理资源,而且会进一步引发囤积居奇、滥发警告、恶意诉讼等滥用知识产权行为,严重扰乱市场竞争秩序,妨碍正当生产经营。本文通过搭建知识产权领域企业信用风险分类指标体系,将企业知识产权相关监管信息和信用信息进行充分整合、挖掘和分析,选取试点企业数据对知识产权领域企业信用风险进行试点测算,为实现信用风险的发现、分类、管控,构建完善的事中事后监管体系,为提升对知识产权领域企业的监管效能提供技术支撑。 相似文献
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