原子层沉积制备氮化钛薄膜及其表征北大核心

宽禁带半导体TiN作为扩散阻挡层以及场效应管的门电极在集成电路中发挥重要作用。通过原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）技术沉积不同循环次数TiN薄膜,采用四探针测试仪、台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了表征,确定了薄膜电阻率、生长速率、表面粗糙度与工艺条件的依赖关系。实验结果表明,ALD可实现膜厚精确控制、大面积均匀性优异、电阻率较小的薄膜制造,沉积薄膜的最小粗糙度为0．101nm,电阻率为5μΩ·cm,薄膜稳定生长速率为0．025nm／cycle。     

全球化背景下我国竞技体育高水平发展策略研究

体育运动最初是一种非生产性的人类运动,但随着时间的变迁,体育运动已不仅仅是一种健康的运动,还发挥着一些政治、经济方面的功能。作为体育事业的重要组成内容,竞技体育是一种科学的、系统的竞赛,其目的是使运动员获得理想的成绩,取得比赛的胜利,竞技体育已然成为一个国家综合国力水平的重要体现。在当今全球化大环境下,竞技体育具有鼓舞民族气魄、唤起国人爱国精神的作用。通过分析目前中国竞技体育中的问题,并探讨全球化背景下中国竞技体育高水平发展的创新策略,有助于提高国家的竞技体育水平,提高国人的文化身体素质。     

3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能

为提高电容器的比电容,设计了基于三维(3D)结构的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器.采用原子层沉积(ALD)技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟舍得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系.基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95.同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级.且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长.