APCVD制备非晶硅的关键工艺参数分析

本文提供以甲硅烷为源,用常压热CVD制备优质氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的研究结果。对于源流量、衬底温度和垂直于衬底方向上的温度梯度等因素对薄膜的生长速率及质量的影响进行了分析并得出一些重要的结论。由于热扩散传质的合理控制,在衬底温度为430℃的情况下,获得了生长速率为18nm/min的优质薄膜,这个结果是在同类工艺中所未见到过报道的。     

基于DFT模拟不同拓扑结构分子筛的氨氧化机理

采用铜离子交换后的分子筛对NH_3具有较好的N_2选择性和催化氧化脱除效果,但对于不同拓扑结构分子筛上氨氧化机理间的对比研究鲜有报道。研究了三种不同拓扑结构(MFI、BEA、MOR)分子筛上NH_3的催化氧化性能,并借助密度泛函理论(DFT)对反应机理进行详细阐释。三种分子筛的氨氧化机理对比研究结果表明,离子交换率相同的条件下,MFI构型的Cu-ZSM-5分子筛在300℃时,NH_3转化率高达90%,是三种分子筛中NH_3催化净化效果最好的催化剂。DFT计算结果表明,反应机理包括以下三部分:(1)吸附气态NH_3分子,随后与活性氧原子作用生成OHNH_2;(2)通过E-R机理,由生成的OHNH_2和气相的NH_3分子反应生成中间物种N_2H_4;(3)N_2H_4物种和活性氧原子继续作用,逐步脱氢,最后生成N_2和H_2O。通过反应路径活化能计算明确OHNH_2物种的生成所需能量最高,是反应的速控步骤。     

解四阶抛物型方程的两层显式差分格式

给出了一个求解四阶抛物型方程的两层十点显式差分格式,证明了其截断误差为ο(τ2 h4),稳定性条件为r=hτ4≤37894.