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本文就采用黄连素离子选择性电极,对中成药清胃黄连丸中黄连素含量测定方法的研究作了介绍,此法具有不需分离可直接测定的优点,操作简便、快速,颇有实用价值。 相似文献
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设计了一种新型的互补开环谐振器(Complementary split ring resonators,CSRR),研究了新型CSRR应用在基片集成波导(Substrate integrated waveguide,SIW)时的频率响应。采用该结构设计并制作了两个SIW滤波器,其中心频率分别为5 GHz和6 GHz,带宽分别为800 MHz和2 GHz,设计和实测结果较为吻合。 相似文献
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频率合成器是现代电子系统的重要组成部分 ,在通信、雷达、电子对抗、导航、广播电视、遥测遥控、仪器仪表等许多领域都得到广泛的应用。在雷达等通信设备中 ,它为发射机的调制器提供载频信号 ,也为接收机或发射机的混频器提供稳定可靠的本振源。该锁相频率合成器体积小、成本低、通用性强、使用灵活方便 ,频率控制可以通过硬件 (面板 )实现 ,也可以通过软件写入 ,工作频带 :3 80~ 4 40 MHz,频率步进 1 .2 5 MHz,输出功率≥7d Bm,相位噪声≥ -95 d Bc/Hz/1 0 k Hz。该频率合成器双路输出 ,收、发双工工作 ,已成功地用于时分多址 (TD-MA)通信网中 相似文献
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由于受热力学基本定律的限制 ,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限 ,而 Si Ge材料的引入使得占据小于 1GHz频段的 Si产品可以进一步覆盖 2~ 30 GHz的 RF和无线通信市场。根据前人的材料研究工作 ,在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,进一步研究长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,引入了插值所得的近似因子以修正 silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后依据修正后的模型对 Si Ge PMOS进行更为精确的二维模拟 相似文献
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本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件在无线通信领域优良的性能, 低廉的成本, 可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力. 硅互补型金属氧化物半导体(Si CMOS)工艺因其低廉的成本, 较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础, 而硅锗互补型金属氧化物半导体/硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe CMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺的优点, 又有良好的高频性能, 特别是SiGe HBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段, 而其成本和噪声性能是砷化镓(GaAs)材料无法比拟的. 随着对SiGe HBT, 硅锗场效应晶体管(SiGe FET)的研究, SiGe器件的高频性能, 低噪声性能, 功率和线性性能将得到展现, 为进一步降低收发信机的成本, 提高其集成度打下了基础, 展现了SiGe技术的无线领域广阔的应用前景. 相似文献
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基于虚拟仪器技术,利用图形化编程语言LabVIEW开发了工程装备液压系统参数检测系统。该系统可以快速准确地检测和诊断液压系统的故障,并给出性能参数测试报告,适用于工程机械、车辆等的液压系统性能检测、故障诊断及工况监测。 相似文献