高速脊波导激光器寄生电容的分析

高速调制半导体激光器光源是光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。高速激光器的寄生电容是影响其调制带宽的因素之一。为了减小寄生电容,针对脊波导结构激光器的电容,采用计算机模拟与实际测试相结合的方法,进行了理论分析和实验验证。结果表明,其寄生电容大小不仅与电极金属化面积有关,还与隔离沟的腐蚀深度有关。当腐蚀至波导层时,寄生电容减小到10pF以下。这一结论对实现激光器的高速调制是非常有意义的。     

1.55 μm DFB LD光栅结构的优化设计

模拟分析了不同结构下二级光栅的特性,研究了光栅结构对分布分馈半导体激光器(DFB LD)空间烧孔以及光谱线宽的影响.最终给出优化后的光栅结构.优化后器件的阈值电流为11 mA,边模抑制比达到40 dB,最小线宽105 kHz,很好地抑制了空间烧孔效应.