低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

重掺杂N型硅中低温本征载流子浓度(英文)

<正> The intrinsic carrier concentration ni0 in the undoped and the lightly doped silicon has been studied from 77 to 300K[1]. Considering that there exists the bandgap narrowing △Eg in the heavily doping silicon, the effective intrinsic carrier concentration niE of the heavily doped silicon can be Written as:     

低温NMOS器件衬底电流的测试与分析

本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(77K)下NMOSFET的衬底电流比常温(300K)下增大了一个数量级。最后,分析了电场对衬底电流的影响,讨论了低温下衬底电流增大的物理机理。     

表面组装与芯片键合混合工艺浅探

我们在高新技术产品试制过程中，对表面组装与芯片键合的混合工艺作了一些探索，本文重点就有关工艺流程安排，以及在裸芯片组装中的所遇到的一些具体问题，简单地作一讨论。     

一种新型CMOS磁敏集成传感器研制成功

借助于计算机辅助设计技术,我们设计并研制出了一种高灵敏度的CMOS磁敏集成传感器,该传感器利用集成电路的制做技术,将结构新颖的磁敏电路与运放电路集成在一个芯片上,使之具有体积小、灵敏度高、功耗低、可靠性强、动态输出范围大,电路性能好的优     

超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的CV和I-V特性

本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。     

半导体光电探测器

本文将介绍几种半导体光电探测器的研制工艺,器件特性及其应用举例.