Cs(6P)激发态的辐射及与Ne碰撞的能量转移

应用激光吸收和荧光方法,测量了Cs(6P)态与Ne碰撞的精细结构转移和碰撞猝灭截面.Cs原子被激光激发到6P3/2态,将与泵浦激光束反向平行的检测激光束调到6PJ→8S1/2的跃迁,测量6PJ激发态的密度及空间分布,由此计算了6PJ→6S的有效辐射率.在T=337 K和Ne密度0.5×1018＜N＜4×1018cm-3范围内测量了6P1/2→6S1/2(895 nm)发射的敏化荧光强度I895,量N/I895与N有抛物线型的关系,表明6PJ的猝灭是由于与Ne原子的碰撞产生的,而不是由与Cs基态原子碰撞产生的.由最小二乘法确定的二次多项式的系数得到6P态与Ne碰撞精细结构转移截面σ21=(1.90±0.82)×10-19 cm2,猝灭截面σD=(8.97±3.85)×10-19 cm2.     

氧分压对射频溅射制备ZTO沟道层的薄膜晶体管器件性能的影响

以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT),并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明,ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光透明性(在400~700nm范围内平均透过率大于等于89.61%),且增大氧分压有利于其可见光透明性的提升。霍尔测试结果表明,增大氧分压(由3.5×10-2Pa增大到7.5×10-2Pa)会降低ZTO电子载流子浓度(由4.73×10¹⁵cm-3降低到6.11×10¹²cm-3),致使基于ZTO沟道层TFT器件的能耗降低(表现为关态电流的降低和耗尽型器件阈值电压的正向移动)。此外,增大氧分压还有益于沟道层/介质层界面状态的优化,即亚阈值摆幅减小。     

沉积温度对纳米ZnO薄膜的结构和光电性能的影响

采用阴极电沉积的方法,用ZnCl2的二甲基亚砜溶液做电解液,在导电玻璃上制备了纳米ZnO薄膜.研究了沉积温度对薄膜结构特性和光电性能的影响.XRD分析表明,ZnO薄膜为纤锌矿结构,电解液温度的升高能促进纳米ZnO薄膜的(002)面(c轴)择优取向的程度.随着电解液温度的升高,薄膜的禁带宽度和面电阻减小.光学测试表明样品的透射率可高达80%以上,电学测试表明样品的面电阻值最小可达7.57×104 Ω/□.AFM显示电解液温度对ZnO晶粒形貌及晶粒大小的影响很大.     

顶栅共面结构非晶氧化物薄膜晶体管的低成本制备及性能研究

将溶液法制备的不含镓的非晶InAlZnO薄膜和有机聚甲基丙烯酸甲酯薄膜分别作为沟道层和介质层,制备了顶栅共面结构的非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)器件,探讨了沟道层中Al含量对器件性能的影响。结果表明：Al对InZnO薄膜中氧空位的形成能起到一定抑制作用,增加Al含量即可降低沟道层中的电子载流子浓度,使得InAlZnO TFT器件阈值电压正向移动、关态电流减小,以有利于器件开关比的提升。此外,基于沟道层中Al含量的调整可通过优化沟道层/介质层界面状态来促进器件阈值电压滞回稳定性的提升。当沟道层中Al含量为30%时,制备的器件具有最佳综合性能。     

利用核磁共振测井提高渗透率精度

核磁共振测井资料能够提供更为精确的储层渗透率参数,T_2截止值是决定性参数,室内岩心实验和核磁资料实际应用均已表明,不同的岩性和物性具有不同的T_2截止值,目前根据实验室或分层确定的T_2截止值不具有可操作性,且满足不了对渗透率精度的要求,连续求取T_2截止值是核磁测井提高渗透率精度的必要手段。本文通过理论及实验室和岩芯资料分析,在大量的实际核磁测井资料的基础上,建立了T_2截止值与T_2分布谱4-32ms的短弛豫时间占储层有效孔隙的含量关系,通过这种关系,就可以直接从当前的原始核磁测井资料中求得本井逐点的连续T_2截止值,这种方法依赖于实际当前核磁测井资料,不需测井前进行实验室分析,不需对区域情况进行评价,具可操作性,克服了人为因素的干扰,精度高。本方法在海拉尔地区进行验证,解决了该地区低孔、低渗储层渗透率难以求取的问题,渗透率相对误差由原来的一个数量级降到56%。T_2截止值是确定有效孔隙中毛管束缚水体积和可动水体积的决定性参数,因此T_2截止值的准确求取,也提高了计算毛管束缚水体积、可动水体积的精度。毛管束缚水体积准确求取为低渗透储层试油压后出水提供了依据,为产能预测提供了较为准确的参数,也为确定产能界限层和划分储层提供有利依据。