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以六羰基钼和氧气为前驱体,通过等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在硅基片上实现了α-MoO3薄膜的低温制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。研究发现衬底温度和氧源脉冲时间对MoO3薄膜的晶体结构和表面形貌变化起关键作用。当衬底温度为170℃及以上时所制备的薄膜为α-MoO3;适当延长ALD单循环中的氧源脉冲时间有利于低温沉积沿(0k0)高度择优取向的MoO3薄膜。根据对不同厚度MoO3薄膜表面的原子力显微图片分析,MoO3薄膜为岛状生长模式。 相似文献
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采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析.结果表明,经预处理的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜晶体质量明显提高,沿c轴高度择优取向生长;光学带隙约为3.48 eV;薄膜呈n型导电特性,电阻率为2.551×10-2 Ω·cm,载流子浓度高达1.876×1019 cm-3,迁移率为13.04 cm2·V-1·s-1;薄膜中Ga元素主要与N元素以Ga-N键生成GaN. 相似文献
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