频率覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO

通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5GHz时,VCO内核消耗功率为17.5mW;在100kHz频偏处的相位噪声是～101.67dBc/Hz.     

用于变电站电气设备绝缘在线监测的数据采集装置

介绍一种用于变电站电气设备绝缘在线监测的数据采集装置,合理的硬件设计使装置具有良好的性能。文中也对软件设计中的有关问题作了详细讨论。     

PSTN中SMS终端专用集成电路设计

由于在GSM移动网的成功运营,短消息业务正在向PSTN扩展.为了制造适用于短信终端使用的集成电路芯片,我们使用8051兼容的微处理器内核设计了SMS终端专用集成电路,并利用其SFR总线扩展了必要的接口.同时为了提高电路的集成度和可移植性,在调制器方面使用了基于DDS的FSK/DTMF一体输出PWM波的调制器;在解调器方面,针对SMS协议,提出了1比特量化的FSK/DTMF解调方法.芯片采用0.25um的标准CMOS工艺设计,管芯面积1.1×1.1mm2.     

新颖实用的单片机双积分A/D转换电路和软件

通过对双积分A/D转换过程及其原理的分析,结合8031单片机定时计数器的特点,设计出一种新的A/D转换电路.详细介绍了这种转换电路的硬件原理及工作过程,给出了实用的硬件电路与软件设计框图.通过比较分析,可以看出这种A/D转换电路性能价格比较高,软件编程简单,并且转换速度和精度优于一般的A/D转换电路.这种设计思路为数模转换器(A/D)的升级提高指出一个明确的方向.     

超宽频带VHF频段CMOS LC VCO

实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO.其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段.这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化.该VCO使用标准0.18μmCMOS工艺制作,核心版图面积约为550μm×700μm.测试结果表明:该VCO频率覆盖范围为31～111MHz;功耗为0.3～6.9mW;在100kHz频偏处相位噪声约-110dBc/Hz.     

谐波分析神经网络的开关电容实现

就一种实现实时频率跟踪与傅立叶分析的神经网络提出了改进的开关电容网络实现方案。改进后的网络结构明显简化，仍能实现所要求的功能。     

用于变电站电气设备绝缘在线监测的数据采集装置

介绍以8031单片机为核心实现的96路光电隔离,6路同步整周期采样的数据采集装置的软硬件原理。该装置为上位PC机提供绝缘状况检测的原始分析数据。     

伪工作点与超宽带CMOS LC VCO设计

为了拓宽CMOS LC VCO的频率覆盖范围,很多工作都集中在扩展LC谐振回路中的电容覆盖.但通过对该VCO在调频状态下的分析表明,除了LC乘积的覆盖范围,在改变输出频率时维持交叉耦合MOS管的工作状态稳定也是获得宽带振荡器的条件之一.固定尺寸的交叉耦合MOS管结构不能满足后一个条件.将交叉耦合MOS管结构分为可开关调节的若干段可以有效地解决上述问题.通过VHF超宽频带CMOS LC VCO的具体设计表明,新电路结构可以获得突破性的频率覆盖.     

CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点

在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构.从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析.着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力.     

利用Van der Pol方程分析MOS LC差分振荡器

回顾了对MOS LC差分振荡器的认识现状。通过简单的推导和Van der Pol方程现有结论,得到了交叉耦合MOS特性对振荡器性能的影响。这些结论包括:1)起振条件;2)输出幅度与参数间的解析表达式;3)振荡器输出频率与LC谐振回路和交叉耦合MOS管非线性特性影响的关系;4)过渡过程的时间常数;5)振荡器输出的谐波特性。这些结论揭示了MOS LC差分振荡器新的现象,对设计者了解振荡器的工作状态和优化设计有一定的参考意义。