关于P型硅中注入(PF_2)~ 的研究

一、前言 在调试LC-2机器时,发现所引出的二氟化磷离子流[(PF_2)~ ]较磷离子流大好几倍。为提高工作效率,开展了二氟化磷离子掺杂工艺可能性的探索。通过系统测量退火特性,方块电阻与注入剂量的关系,结深与注入能量的关系,注入层载流子的剖面分布,注入层的平均迁移率参数以及与掺磷对比制管实验等大量的实验都表明:(PF_2)~ 作为n型注入杂质是可行的。某些参数,例如n~ -p结的反向漏电比     

埋线多层陶瓷

多层结构正在帮助微型电路工业缩短布线以减少开关时间。陶瓷封装和衬底以它们气密和散热特性而满足今天微型电路设计的需要。本文介绍了生产这些封装和衬底的设计原则和方法,同时对制造过程中所用的难熔金属和贵金属进行了讨论。     

关于栅沟道注入调变表面势的研究

本文以C4D的离子注入势阱为例,详细描述了栅沟道注入与表面势的关系,给出了分析表达式。并且用瞬态和常规C-V特性测量,对理论结果进行了间接的验证。方法同样适用于具有离子注入势垒区的标准C4D和CC-RAM;而对MOS的阈值调整也有参考意义。     

亚微米窄沟NMOS的增强辐照效应

我们已经观察了窄沟NMOS晶体管的增强辐射灵敏度。辐射导致的阈值漂移随沟道宽度在4μm以下减少而迅速增加。例如,同是4.5μm沟道长度,0.8μm宽FET器件的辐射灵敏度是5μm宽器件的两倍。这种几何图形依赖性可由2维电势计算来定量解释。这些计算表明,辐射以后边缘场对阀值电压的影响减弱,这对窄沟器件来说就导致较大的阀值移动。     

一种带温度补偿的高精度片上RC振荡器

介绍了一款带有高阶温度补偿和数字修调功能的高精度片上RC振荡器。由于采用了2阶温度补偿方案,该时钟振荡器在较宽的温度范围内实现了振荡频率的高稳定性。由于采用电流数字修调技术,因此减小了工艺漂移对输出中心频率的影响。另外,应用误差放大器及共源共栅结构提高了电源抑制特性,从而使振荡器精度得到显著提高。电路基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计。仿真结果显示,在温度范围为-40 ℃～125 ℃,电源电压波动为±10%,及不同的工艺角下,振荡器输出中心频率均为5 MHz,精度保持在±0.25%以内。同其他相似片上振荡器相比,在同样的温度变化、电压波动及工艺漂移的情况下,其频率稳定性显著提高。     

电流模驱动型抗EMI LIN驱动器设计

为了解决现有的电压模驱动型LIN驱动器在抗电磁干扰(EMI)方面的诸多不足,基于电流模驱动,设计了一种抗EMI性能良好的LIN驱动器。电路采用0.5 μm 60 V BCD工艺制造,依据IEC62132-4标准进行直接功率注入(DPI)仿真[1]。结果表明,在150 kHz~1GHz 频率范围内,在强度高达5 W的EMI信号下,该驱动器输出信号占空比变化不超过3%,传输延时变化不超过2.4 μs。相较于电压模驱动型电路较大的传输延时变化(>10 μs)和占空比变化(>23 %),设计的驱动器在保持较低电磁辐射(EME)的同时,抗EMI性能得到较大的提高。     

超大对离子注入技术的要求

本文从超大规模集成电路(以下简称超大)的特点和当前离子注入技术的一些具体情况出发,论述一些离子注入技术急需解决和有待解决的问题。     

一种制造高纯三氟化磷气体的简易方法

本文介绍一种高纯PF_3气体的简易制作方法。给出所研制的PF_3气体在L1-2离子注入机上质谱分析的结果以及工艺试验结果。结果表明可供各类离子注入机、尤其冷阴极离子源的注入机掺磷使用。     

关于B~+注入层退火增强扩散的探讨

本文通过对实验现象的综合和分析,建立了B~+注入层的退火增强扩散模型,认为是空位、填隙原子和替位原子的多元扩散过程。据此从理论上证明了充分退火以后的电活性浓度分布是一种深的高斯分布。为了对模型进行验证,采用微分电导法、对不同注入条件的样品进行了分布测量。还采用与四探针测量相结合的CP4和阳极氧化腐蚀、最后用椭偏测厚仪进行测厚的方法,对不同注入条件的样品进行了结深测量。将测量结果和理论分析进行了比较和讨论。结果发现:模型对实验现象可以比较成功地解释;而用所给出的分析表达式、直接计算常用条件下充分退火以后的电活性浓度分布,方法比较准确和简单;可供设计和研制离子注入器件时参考。     

可修调的高阶曲率补偿基准电压源

设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35 μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40 ℃~125 ℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875 V时,温度系数为4.1×10-6/℃,低频电源抑制比达到-70 dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。