基于激基复合物主体的高性能OLED器件

为了得到低驱动电压、高光效的有机电致发光二极管(OLED),本文介绍了一种激基复合物mCP∶PO-T2T。首先通过测试mCP、TPBi、PO-T2T、mCP∶TPBi和mCP∶PO-T2T薄膜的光致发光光谱,确定了mCP∶TPBi、mCP∶POT2T具备激基复合物性能要求,并分别将上述两种激基复合物作为发光层主体,制备器件结构为HATCN(10nm)/TAPC(40nm)/TCTA(10nm)/mCP(10nm)/mCP∶X∶FIrpic(20nm,Y,15%)/X(50nm)/LiQ(2nm)/Al(120nm)的蓝光OLEDs。当X为PO-T2T,Y=42.5%(质量分数)时,对应蓝光器件开启电压为2.83V,功率效率和电流效率分别达到了35.5lm/W和33.1cd/A。在此基础上,将0.2%(质量分数)的黄光磷光材料PO-01掺入上述器件的发光层,得到了基于激基复合物主体的暖白光OLED,该器件获得了63.7lm/W的功率效率、61.8cd/A的电流效率以及19.9%的外量子效率,实现了具备低电压、高效率、色偏较小等优越性能的暖白光OLED。     

基于微结构阵列基板的高效顶发射OLED器件

为了提高顶发射OELD的效率,降低电压,基于纳秒激光刻蚀技术制备了一种用于顶发射OLED的低成本可重复的方形微结构阵列基板,在此基础上制备了顶发射OLED器件。实验发现,利用这种基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驱动电压。其中,使用20μm的方格微结构阵列基板的器件的最高效率达到66.7cd/A,40mA/cm~2下亮度达到20 103cd/m~2,相比于未经刻蚀的无结构器件分别提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微结构阵列基板的器件驱动电压最低,在40mA/cm~2下为9.58V,相较未经刻蚀的无结构器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驱动电压的降低主要有两点原因:首先由于基于微结构阵列基板制备的器件中存在褶皱结构,可以破坏器件的光波导,并且增大了器件面积而降低驱动电压;其次纳秒激光刻蚀产生的光栅条纹可以提高光提取效率,同时增强局部电场以提高电极的载流子注入能力。