弱碱性抛光液中FA/O 螯合剂和H2O2对Ru CMP的影响研究

Ru作为一种新型阻挡层材料已经应用到了先进的集成电路生产中。但由于金属钌特殊的物理化学性质使其化学机械抛光(CMP)还存在很多问题。为了提高Ru的去除速率,本文研究了FA/O螯合剂和H2O2对Ru的抛光去除速率(RR)和静态腐蚀速率(SER)的影响。实验结果表明,随着H2O2浓度的增加,在抛光过程中,Ru表面形成了致密氧化层,导致Ru的抛光去除速率(RR)和静态腐蚀速率(SER)先增加后减少。通过电化学方法对Ru表面的腐蚀情况进行了分析研究。结果表明,FA/O螯合剂能通过与Ru的氧化物((RuO4)2- 和RuO4 )形成可溶性胺盐([R(NH3)4] (RuO4)2) 提高Ru 的去除速率。同时,为了降低金属Ru CMP后表面粗糙度,在抛光液中加入了非离子表面活性剂AD。     

掺硼金刚石薄膜电极的制备及电化学特性

通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特性.结果表明,当丙酮体积分数为1.5％时,金刚石薄膜表现出优异的附着力,并且BDD电极具有稳定的电化学特性.采用制备的BDD电极,在不同浓度的KCl和KH2PO4电解液中使用,得出电势窗口均在3.4V以上.