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刘雨  宋增才  张东 《半导体光电》2022,43(2):337-340
利用Silvaco TCAD器件模拟软件研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件势垒层的厚度、沟道宽长比和掺杂浓度对器件的转移特性和跨导曲线的影响。结果表明,器件势垒层厚度的变化可以调节器件的电流开关比和开启电压,实现由耗尽型器件向增强型器件的转变;沟道宽长比的改变可以调节器件的开启电压,并且随着沟道宽长比的增加,栅极电压控制量子阱中二维电子气的能力增强;势垒层适量掺杂提高了输出电流,并且使跨导的峰值增大,但过度掺杂会造成器件不易关断情况出现。  相似文献   
2.
针对高强度聚焦超声(HIFU)治疗过程中肿瘤的快速识别与自动定位问题,提出了一种基于SEEDS超像素的自动分割方法,能够为医生快速、准确地定位肿瘤提供帮助,大大减少医生的工作量。该方法基于分裂合并的思想,先利用SEEDS将图像分裂成超像素,再提取超像素的纹理和边界信息,使用纹理边界编码压缩算法完成超像素合并,最后在先验信息的限制下实现肿瘤的自动分割。实验结果表明,该方法可以应对图像质量低、背景复杂等不同情况下的肿瘤分割问题,分割结果比较准确。  相似文献   
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