透明导电薄膜ZnO:Ga与SnO2:F的光、电和力学性能对比研究

采用磁控溅射的方法制备Ga掺杂的ZnO透明导电氧化物薄膜(GZO),并与商用F掺杂SnO2(FTO)透明导电氧化物薄膜的结构、光、电和力学性能进行系统的对比测量研究。通过数据的分析,发现GZO薄膜的方块电阻约为3Ω/sq,平均透过率高于80%(420～1000nm),平均硬度约为9GPa,临界载荷为76.2mN,比商用FTO薄膜具有更低的方块电阻、更好的光透过性、更高的材料硬度和膜基结合程度。     

解决用户端电压低问题的技术措施

随着各种敏感设备在工业中的广泛应用,用户对电能质量的要求越来越高,电压低问题已是威胁电能质量的重要因素,已经成为影响许多用电设备安全正常运行最严重的动态电能质量问题之一.如何提高配电系统的电能质量,抑制系统电压低对敏感电力用户的干扰已成为急需解决的问题.该文首先阐述了用户端电压低问题产生的原因,浅谈了华北电网廊坊大厂供...