一种高精度RC振荡器的设计

提出了一种基于CSMC 0.25μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响。增加修调电容,补偿工艺偏差对精度的影响,实现高精度的振荡输出。采用Spectre对电路进行温度扫描和电压变化仿真,结果表明在宽温度范围(-55～125℃)和宽电源电压范围(2.7～5.5 V)得到了非常稳定的振荡输出,受温度影响的频偏最大为1%,受电源电压变化的频偏仅为0.26%,适合电源管理芯片应用。     

一种带电流补偿结构的带隙基准源

为了进一步减小基准电压源的温度系数,针对传统的基准电路无法补偿BJT管高阶系数温漂影响的问题,提出了一种带电流补偿结构的带隙基准源。补偿电路结构采用双支路提供不同温度系数的补偿电流的方式,用于调节基础结构在不同温度段产生的温漂。另外根据补偿原理进行结构的改进,提出两种设计结构的优化结果,同时使用电阻修调结构矫正不同工艺角下的电压温度漂移。电路采用0.18μm BCD工艺实现。仿真结果表明,该带隙基准源在-55～+125℃温度范围内,最大输出基准电压变化为0.2394 mV,温度系数为1.078×10^-3/℃,10 Hz频率时电源抑制比-77 dB。使用蒙特卡洛方法进行仿真,其失调电压平均值为1.5667 mV。已应用于某一高精度的数模混合电源芯片中。     

一种无电阻高精度基准电压源

基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。     

一种抗辐照485总线接收器设计

采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种能够在γ射线辐射和中子辐射环境下正常工作的RS-485总线接收器。内部结构包含输入电平移位电路、输入缓冲器、输入滤波器、迟滞比较器四部分。流片测试及辐照试验结果均表明,设计的接收器在满足RS-485总线标准的同时,具备抗γ射线辐射250Gy(Si)、抗中子注量2.5×1013 n/cm2的性能,适用于低剂量核辐射环境。     

一种抗辐照1553总线收发器设计

针对宇航用高抗辐照能力1553B总线应用领域,需要设计具有高可靠性和高抗辐照性能的1553B总线收发器。为了实现这一要求,提出了一种电压模形式的总线收发器系统结构,并根据应用环境采用逻辑加固和版图优化加固技术,有效提高了电路的抗辐照能力,设计出了高抗辐照性能的总线收发器电路。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,通过测试电路性能指标符合设计要求。     

基于流水线结构的浮点加法器IP核设计

浮点加法运算是浮点运算中使用频率最高的一种运算.本文采用了五级加法器流水线结构,并使用Verilog HDL硬件描述语言对其进行编码.利在使用SMIC 0.18um CMOS工艺库进行综合,工作频率能达到500MHz.     

一种用于浮点DSP的流水线结构DMA设计

本文提出了一种用于32位浮点DSP处理器的改进型DMA结构.采用两级数据流水线结构,外设与内部存储器的数据传输速率比原来提高了一倍.使用verilog HDL语言对其进行编码和仿真,仿真结果表明工作频率达到250MHz以上,满足设计要求.     

基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计

产品设计时,是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。设计一款多电源芯片,器件电压种类繁多,最高电源为±15 V,基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺,5 V低压器件版图采用优化设计,在±15 V电源下,在同一芯片上实现了电路的高低压转换,没有发生击穿漏电现象,并满足了各种器件的电特性指标,产品工作稳定、性能可靠,并且整体性能良好。