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1.
王勇  张耀锋  尉伟  范乐  王建平  耿会平 《真空》2007,44(4):59-61
简要叙述了小孔流量法测量材料出气率实验的原理和实验装置,给出了不锈钢溅射镀TiN膜在不同情况下的热出气率,并对影响不锈钢溅射镀TiN膜热出气率情况的各种因素进行了分析,为使用溅射镀TiN膜表面处理的储存环真空室的设计提供了依据。  相似文献   
2.
大尺寸电子束引出窗   总被引:2,自引:0,他引:2  
详细介绍了一种新型平面压封结构的大尺寸电子束引出窗口的研究和设计,并给出了金属膜窗的基本参数的设计方法和计算公式,为大尺寸电子束引出窗的设计提供了依据。可作为同类膜窗设计的参考。  相似文献   
3.
蒙特卡罗法计算分子流状态下真空管道的传输几率   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用蒙特卡罗法对分子流状态下真空管道的传输几率进行了计算。计算精度随着模拟分子数的增加而显著提高,对于圆柱管道,模拟分子数为1.0×109时误差在2.7×10-5以下。气体分子与管壁的平均碰撞次数与管道纵横比基本相等。分析了传输几率与管道内壁吸附性的关系,通过测量管道两端气压便可计算出管道的抽速。另外,对椭圆和矩形截面管道的流导也进行了计算。  相似文献   
4.
激光刻蚀是一种现代材料表面处理技术,近年来人们发现它可以有效地降低粒子加速器真空室材料表面的二次电子产额。欧洲核子研究中心已经将此方法应用到LHC对撞机亮度升级实验中。不锈钢是加速器真空室常用的结构材料,利用激光刻蚀不锈钢材料表面,通过扫描电子显微镜对样品表征,结果显示刻蚀之后材料表面存在则的沟壑结构。利用高精度二次电子特性参数测试仪测量刻蚀表面二次电子产额。发现刻蚀前后样品最大二次电子产额从2.71降低至0.89。  相似文献   
5.
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空室在镀TiZrV薄膜处理后其PSD效应显著降低,在200℃下加热24h后,各气体的PSD产额与初始值相比可降低两个量级左右。TiZrV薄膜对CO和H2有较好的吸气效果,相同激活条件下对CO的抽速比H2高一个量级,吸气容量则较之低两个量级;另外,随着加热温度的提高和时间的延长,其吸气能力会有所提高。  相似文献   
6.
等离子体清洗同步辐射光学元件   总被引:1,自引:0,他引:1  
同步辐射光束线的光学元件的碳污染问题.它导致光学系统的光通量下降,尤其是在碳吸收边情况更加严重.因此在光束线运行一定的时间后,必须对光学元件的碳污染进行清洗以便保证其正常使用. 为此我们开发了一套射频等离子体原位光学元件清洗系统,以干燥的氧气和氩气为介质.在产生的等离子中存在大量的臭氧,与光学元件表面的碳反应,变成CO和CO_2气体,从而达到清洗的目的.实验证明等离子体清洗不但可有效清除碳污染,而且有利于光束线真空系统的超高真空环境的恢复,为光束线的维护提供了方便.  相似文献   
7.
非蒸散型吸气剂材料是近年来广泛应用于真空领域的一种重要材料,但过高的活化温度限制了它的应用场景.本文使用比例均匀一致的钛锆钒合金作为靶材,经直流磁控溅射沉积了活化性能良好的非蒸散型吸气剂薄膜,使用X射线光电子能谱对薄膜的表面化学状态进行了分析.结果 表明随着加热温度的升高薄膜表面成分呈现高氧化态一低氧化态一金属态的变化...  相似文献   
8.
微波传输系统真空法兰密封结构设计特点   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高微波传输系统最大输出功率,将波导管内维持真空状态,真空度达到或优于10-5Pa时,通过功率可提高几个数量级。但真空波导法兰密封结构设计是关键,对应不同的条件有不同的要求。首先,在橡胶密封圈的波导法兰上设计抗流结构,利用“等效电路”、“短路”和高频电流波节等相互关系,使法兰机械设计和制造工艺满足微波功率输出的要求;其次,金属密封垫片法兰根据方波导管高频电流分布的特点,采用法兰方波导宽边良好的电接触与真空密封结构分开设计的方式;再次,另一种在金属密封垫片法兰上加工一个与方波导管内壁一致的方形刀口,在螺栓力作用下刀口与密封圈四周挤压接触,既达到真空密封,又满足良好的电接触,设计、加工、装配简单。这三种法兰都不影响波导管电磁能量的传播,但真空密封性能、机械设计、加工等方面存在差异。  相似文献   
9.
从电子商务的分类和特点出发,详细分析了电子商务对国际贸易的影响。在国际贸易中,从交易磋商到合同的具体履行,运用互联网技术可以降低贸易成本,扩大贸易范围,提高各个部门的工作效率。  相似文献   
10.
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗糙度与刻蚀深度之间的关系进行实验研究.  相似文献   
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