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化宁  王佳  尚会锋  章泉源  高翔 《微电子学》2021,51(2):290-294
针对优化提取参数的复杂度问题,提出了一种新的GaAs HEMT器件寄生电容的优化提取方法.提取寄生电容时,设置合适的优化范围,进行优化提参.采用三次参数优化,确保优化精度和模型准确性,避免了循环优化,提高了参数提取效率和参数优化效率.该方法不依赖器件的具体结构,减少了对器件结构假设所带来的误差.对17元件小信号等效电路...  相似文献   
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