离子束镀膜聚焦栅

为了提高溅射沉积的速率,减小溅射弥散,节省昂贵靶材的使用,同时也为了降低对沉积薄膜的污染,有必要使用高束流密度的聚焦离子束。通常聚焦束采用向心盘栅把多个最佳聚焦的子束叠加在位于靶中心的焦点上。本文发展了一种不同能量要求下选择最佳屏极孔孔径、变孔径的导流系数匹配法。使用该法在实验中取得以下结果:8cm离子源产生160mA束流,采用聚焦离子光学系统在离源20cm的焦距处取得能量2000eV,最大束流密度28mA/cm~2的离子束流,束斑小于5cm,钨的典型沉积率为47A°min。     

加工用考夫曼宽束离子源技术概述

宽束离子源区别于一般的窄束离子源.它通过多孔栅引出离子束.在空间很多个子束经过均匀混合下形成大面积的离子束.在同样的加速电压下,它能产生比单孔栅面积更大、束流更强并且更均匀的离子束.由于宽束离子源的这些优点,使它更适合应用于各种类型的加工。其中一个重要的领域是溅射加工用的考夫曼(Kaufman)型宽束离子源(简称考夫曼源)     

宽束考夫曼离子源的原理及其使用

宽束考夫曼离子源被广泛地应用于薄膜工艺刻蚀、镀膜、注入诸领域。近20年来考夫曼离子源在我国得到了迅速的发展。至此已有必要提出正确的使用方法。以纠正一些错误的用法。本文给出一些基本概念以利于如何正确选择工作参数以及维修。     

辅助沉积线状(3×20cm)离子源设计

线状离子源适合于大面积材料的连续溅射改性过程。多极场设计技术在3×20cm线状离子源的放电室中有很好的应用。     

离子束增强沉积制备碳化硼及C—B—Ti化合物薄膜的结构与力学性能…

利用离子束共混制备具有高硬度、高熔点及良好化学稳定性的Ｃ，Ｂ化合物对于彩和离子束增强沉积技术进行材料表面改性有重要意义。利用对烧结碳化硼合物靶进行溅射沉积，同时利用不同能量的Ａｒ＾＋进行轰击的方法，制备了碳化硼及碳、硼、钛混合膜膜，并对它们的结构与力学性能进行了研究。     

离子束增强沉积技术新进展

介绍离子束增强沉积镀膜技术的国内外主要机型及工艺进展，特别是我们实验室离子束增强镀膜新工艺的进展。     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

SSD-1型双束离子束镀膜装置

一、引言离子束镀膜是利用从离子源引出的带能离子束,在无场的高真空(10~(-4)～10~(-5)托)环境中轰击所选择的靶材,溅射出二次原子,沉积在工件上成膜。离子束镀膜具有控制精确、成膜致密、结合力高、低温生长而且可以镀制任意材料膜的优点。为了进一步提高镀膜质量,开展离子束辅助沉积,我们设计了一台SSD-1型双离子束镀膜装置。     

LSK—500型离子束刻蚀机通过成果鉴定

LSK-500型离子束刻蚀机任务,由国家仪表总局集成电路关键设备会议提出,于1979年8月国家科委下达,是科学院半导体所与北京仪器广共同研制的成果。1983年3月25日至27日在北京,由机械工业部主持召开了全国性成果鉴定会。鉴定委员会主任由科学院学部委员王守武担任,与会代表包括国内从事这方面研究、制