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采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层。研究了该LED结构中,不同的芯粒尺寸对ITO电流扩展的影响。结果表明,在电极尺寸一定的情况下,随着芯粒尺寸的变大,ITO电流扩展层对芯粒发光强度的变化起到显著的效果;在电极直径大小为90μm,芯粒尺寸为190μm×190μm时,电流扩展效果最优,亮度增加18.80%,而当芯粒尺寸增大到220μm×220μm时,亮度增加17.01%,其相对电流扩展效果下降。选取适当芯粒尺寸对ITO的电流扩展至关重要。 相似文献
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通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替代量子阱中的Ga N垒层,二是作p型层的接触层。实验发现,该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露,而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下,其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。 相似文献
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低p-GaN欧姆接触电阻的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30 min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4 Ω·cm2. 相似文献
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湿法腐蚀GaP对LED性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25%左右。并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小。湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产。 相似文献
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采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度,研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时,获得与GaN晶格匹配的In0.18Al0.82N,此结果下的样品晶体质量最高。同时发现随着Mg掺杂量的增加会使螺位错密度急剧上升,Mg的掺杂对于刃位错有显著影响。综合退火温度对空穴浓度影响,当Mg源的掺杂量为0.248μmol/min,且退火温度为550℃时,与GaN晶格匹配的p型In0.18Al0.82N样品载流子浓度达到最高值,为1.2×1018 cm–3。 相似文献
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