Ge4+取代对BaSnSi3O9陶瓷烧结行为和微波介电性能的优化

微波介质陶瓷是制造5G通信元件的关键材料,采用传统的固相反应法制备Ba Sn(Si_1–xGe_x)₃O₉(0≤x≤1.0)微波介质陶瓷,研究Ge⁴⁺取代Si⁴⁺对BaSnSi₃O₉陶瓷烧结行为、晶体结构和微波介电性能的影响。结果表明：BaSnSi₃O₉陶瓷在最佳的1 450℃烧结温度下表现出多孔的微观结构,并呈现较差的微波介电性能(介电常数ε_r=6.61,品质因数Q×f=7 977 GHz (谐振频率为15.03 GHz),τ_f=?37.8×10^–6/℃)。通过Ge⁴⁺对Si⁴⁺的取代能形成Ba Sn(Si_1–xGe_x)₃O₉固溶体,其晶体结构为六方结构和P-6c2空间群。采用...     

岩盐型微波介质陶瓷材料的研究进展

岩盐型微波介质陶瓷具有优异的介电性能,成为近年来的研究热点之一。本文总结了近几年岩盐型微波介质陶瓷的研究情况,以不同元素占位为划分原则,将岩盐陶瓷分类为简单AB构型和复杂构型岩盐陶瓷,其中复杂构型代表两种或三种元素同时占据A位。系统介绍了岩盐结构陶瓷的组成、结构以及微波介电性能,分析了不同离子组合和占位对陶瓷性能的影响,并针对岩盐结构微波介质陶瓷目前存在的问题提出改进方法,最后对该类陶瓷的研究方向进行了展望。     

ⅢA族元素化合物微波介电性能的研究进展

微波介质陶瓷作为现代信息化产业高速发展过程中的热门电子材料,在数据通信领域中展示出了广泛的应用前景.在现有的微波陶瓷材料体系中,包含+4,+5价元素(Ti4+及Nb5+、Ta5+等)的氧化物体系已获得广泛的研究关注,而包含ⅢA族元素(B3+、Al3+、Ga3+等)的+3价体系研究相对较少.相比于+4,+5价氧化物体系,...     

低损耗高耐压Al2O3基低温共烧陶瓷

为获得低介电损耗、高耐压强度的Al₂O₃基低温共烧陶瓷(LTCC)材料,采用固相法制备了x(6La₂O₃·24CaO·50B₂O₃·20SiO₂)(LCBS)+(1–x)Al₂O₃玻璃/陶瓷。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、矢量网络分析仪、高压击穿试验仪、高温介电温谱仪对烧结样品的结构和性能进行了表征。结果表明：添加适量的LCBS玻璃粉有助于提升材料的致密性、降低介电损耗、提高击穿场强。同时,复阻抗谱分析表明,LCBS玻璃的加入可以显著提高玻璃/陶瓷的电阻率和活化能。当玻璃含量(摩尔分数)为44%时,850℃烧结0.5 h,可获得性能优异的LTCC陶瓷材料G44:ε_r=7.14,Q×f=5 769 GHz(f=13 GHz),E_b=57.44 kV/mm。