小面积PN结的光电特性

用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．     

微弱光探测器件的设计考虑

制作了具有分离外保护环结构的硅光电二极管，这种结构的中心区域为光敏感区，与中心区周边相距５０μｍ处制作了宽度为３０μｍ的外保护环区。当器件应用时，可将外保护环二极管短路，中心区作光探测。这样，在光敏区表面周边约一个少于扩散长度范围内的反向漏电流被外保护环短路，对光敏区的暗电流无贡献，从而有效地减少了光探测器件的暗电流，降低了器件可测光的功率值。     

MSM结构硅光探测器

采用 MSM 双肖特基势垒结构制作的硅光电二极管,在0.2～1.10μm波长范围内具有高的响应度。这种结构还可以构成横向光晶体管,共发射极电流增益为2～4倍。实验表明,MSM 结构是改善硅光电探测器光谱响应的良好结构。     

无平面结敏感区硅光电探测器

研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光电探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在一定的均匀光照下，器件的光电池也有一定的值。利用本文的分析模型，可以得到该器件的有效光敏面积，从而可以确定衬底材料中光生少子的扩散长度。     

网格结构紫外-可见-近红外光敏三极管

本文提出了一种网格基区紫外-可见-近红外光敏三极管结构,网格条区为浅pn结,网孔区为表面耗尽区,这是一种提高硅光敏管紫外光响应的有效结构.实验测量表明网格基区光敏三极管是一种宽光谱高灵敏光敏三极管.     

分装式P-N结感温火灾探测器

随着城市高层建筑及重点工程建设的迅速发展,火灾探测与报警便成为市镇建设的一个十分重要的问题.感温火灾探测器因其使用的感温元件不同而有机械式和电子式两种.机械式所采用     

重结硅光电二极管

本文提出了一种重结光电二极管结构.这种结构由一个接近表面的浅结和一个较深的结组成,这两个结可以分别有效地收集产生在接近表面的和产生在体内的光生载流子,这对于提高光电二极管从短波长到长波长光的响应都是有利的.通过对所作实验样品的光谱响应灵敏度的测量,说明重结光电二极管结构对改善光电器件的光谱响应是有效的.     

硅光探测器紫外响应的改善

利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法，获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层，制作最佳厚度的光透射膜，使硅光敏二极管的紫外响应获得改善，得到在254nm波长下响应度达0．18A／W的结果．     

新型表面耗尽区光探测器

<正> 当前出现的结型光探测器,其结构为传统的平面p-n结。在这种表面杂质扩散层中掺掺浓度较高,光生少子寿命较低。这对于表面     

间接耦合光探测器再分析

再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。