一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型

文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果.     

双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。     

浅谈轿车门盖关键零件的定位及尺寸的调试方法(一)

门盖匹配在车身调试中占有相当大的一部分,然而目前汽车行业忽视对门盖的调试,水平整体较低.着重阐述如何保证门盖焊接、整车装配尺寸精度,深入分析调试过程,优化轿车门盖夹具、检具定位方式,以及门盖相关尺寸的保证手段,具体探讨对门盖匹配中的尺寸问题和调试方法,同时对如何依靠现有扫描设备来提高匹配的精度和质量进行了相应介绍.为以后的门盖调试提供可靠的依据.     

部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究

介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型SOIMOSFET工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法.