基底元素表面富集与扩散阻档层

根据An－Ag系统以及An－Cu系统的扩散系数计算，提出了扩散阻挡层模型。利用这个模型对Au－Ag系统进行有关实验，得利了较好的验证。     

Au-Ni-Kovar合金系统基底元素表面偏聚的SAM和XPS研究SCIEI

本文采用SAM和XPS对实用Au-Ni-Kovar合金系统热处理样品(250—350℃,0.5—1.5h)进行了基底元素穿透Au层的表面偏聚研究,给出了这一复杂系统中Ni,Co表面偏聚机理的直观证据,即Ni,Co主要是通过晶界扩散穿透Au层而后以表面扩散覆盖镀Au表面的;表面偏聚元素化学态的研究则不仅表明,氧的吸附和氧化反应是Ni,Co表面偏聚的驱动力,而且发现,上述偏聚会引起样品表面吸水的现象。     

用AES法探讨表面活化工艺的机理

本文用AES分析法探讨了活化工艺的作用机理,分析结果表明:活化工艺导致了铬基片表面吸附氧的部分解吸,以及基片微观表面凹凸高度的相对标准偏差减小,实际接触面大大增加。从而使KPR胶与铬基片的粘附作用大大加强,腐蚀细线条的光刻成品率大大提高。活化工艺与俄歇能谱分析法均可推广用于其他一切镀膜与涂层工艺,以期获得粘附力最强的好效果。     

SAM法研究银透过金镀层的表面富集

基底元素透过镀层于表面富集可使镀层失去作用和意义,导致元、器件失效。对银上镀金样品的SAM法研究结果表明,常温下这种富集主要是基底元素通过缺陷和晶界扩散穿透镀层再行表面扩散而遍及表面的;镀件的表面吸附与表面富集的发生密切相关。文中给出了随时间的推移,银于表面富集情况的清晰的俄歇相。已发展出新的工艺,可以明显地延缓基底元素透过镀层到表面的富集。     

电子能谱法研究CuBe(O)二次电子发射体

利用PHI-550型多功能电子谱仪研究了Cu-Be合金活化后的CuBe(O)样品。结果表明:(1)Cu-Be合金活化后,表面生成较为纯净的BeO层。氧化使得ESCA Be 1 S峰由111.6eV(电子结合能)移至113.6eV,使得Be KLL Auger峰由104eV(电子动能)移至约93eV;(2)Cu、Be组分在活化过程中均通过初始界面向外迁移,但二者机制有别;(3)BeO膜在电子束轰击下有解离发生。此外,利用不同能量电子的逃逸深度差,测算出800℃活化样品的BeO膜厚度约为24(?)。     

Au-Ag系统的扩散系数及其扩散激活能的研究

在银基底上蒸镀80nm的金薄膜,然后用不同温度和时间间隔对这些样品进行热处理。再用PHI 550型俄歇电子能谱仪测出上述样品金膜中银的浓度剖面分布。根据银的浓度剖面分布及Hall公式算出Au-Ag系统的互扩散系数。由Leclaire公式计算出该系统的晶界扩散系数。从Arrhenius方程得出互扩散及晶界扩散激活能。并对实验和计算结果进行了讨论。     

N~ 重叠注入GCr15钢的电子能谱法研究

大量研究工作表明,N~ 注入能强化金属表面。其强化作用机理可归纳为下述两种主要看法(此外尚有注入损伤效应使金属表面非晶化,微观表面凹凸度的均一化等等):(1)注入的N~ 原子将与金属基体内的各种缺陷如位错,晶粒边界,第二相交界面等发生相互作用,产生一种过饱和固溶强化作用;(2)N~ 将与基体材料产生一种合     

基底元素透过镀层的表面富集：—电镀中一个值得注意的问题

基底元素透过镀层于表面富集可使镀层失去作用和意义,造成元器件失效。常温下这种富集主要是基底元素通过缺陷和晶界扩散穿透镀层再行表面扩散而遍及表面的。镀件的表面吸附是其发生的最重要的诱导原因,已发展出新的工艺,可以明显地延缓基底元素透过镀层到表面的富集。电子能谱是研究这一问题的有力手段。     

利用俄歇电子能谱确定Au-Cu系统的互扩散系数及晶界扩散系数

本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系数。本文还对上述计算结果进行了讨论。     

膜厚对反冲注八改性的影响

本文依据LSS理论并考虑到反冲注入的特点,对反冲注入中入射离子的能量和镀层厚度提出如下选择原则: 1.入射离子的能量应对应于(dε/dρ)。～ε~1/~2普适曲线的极大值。2.镀层厚度应与入射离子在镀层中的投影射程大体一致。实验结巢(如表面硬度的测试,磨损试验,俄歇深度剖析)证明,上述选择原则是合理的。