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1.
长波长PIN/HBT集成光接收机前端噪声分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章研究磷化铟(InP)基异质结双极晶体管(HBT)和PIN光电二极管(PIN-PD)单片集成技术,利用器件的小信号等效电路详细计算了长波长PIN/HBT光电子集成电路(OEIC)光接收机前端等效输入噪声电流均方根(RMS)功率谱密度.分析表明:对于高速光电器件,当频率在100 MHz~2 GHz范围内时,基极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用;频率大于5 GHz时,集电极电流引起的散粒噪声和基极电阻引起的热噪声起主要作用.在上述结论的基础上,文章最后讨论了在集成前端设计的过程中减小噪声影响的基本方法.  相似文献   
2.
考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变A1GaAs/GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain—Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出:为了更好描述电流传输,利用Jain—Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的。  相似文献   
3.
对用于光波分复用(OWDM)系统的高性能解复用接收器件--高性能光探测器的研究作了介绍和分析.这类器件需要同时具备高速、高量子效率、超窄光谱响应线宽的性能.为适应OWDM网络的灵活性、智能化和系统集成化的需要,器件还需具备宽带可调谐的性能.这类器件主要有普通谐振腔增强型(RCE)光探测器、四镜三腔型RCE光探测器、一镜斜置三镜腔光探测器、外腔可调谐RCE光探测器、液晶可调谐RCE光探测器、微机械可调谐RCE光探测器及采用InP-空气隙反射镜的长波长RCE光探测器等器件.本文重点介绍了其中部分器件的研究.  相似文献   
4.
高性能pin/HBT 集成光接收机前端设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(大于等于10Gbit/s)和波分复用系统中有广阔的应用前景。  相似文献   
5.
基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAs HBT中的电流传输特性.结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化.  相似文献   
6.
微结构光纤在光通信中的应用实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
微结构光纤是新兴的研究领域.特殊微结构所赋予的诸多新奇性,使得微结构光纤不仅可以成为优异的光传输介质,而且可以用来制作各种新型的光纤器件.文章介绍了微结构光纤在光传输和光纤器件方面的最新实验研究.  相似文献   
7.
基区重掺杂使HBT突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响.本文基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs HBT中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较.结果表明:为了精确地描述电流传输特性,基区重掺杂情况下,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化.  相似文献   
8.
随着ASON标准和技术的逐步成熟,ASON网络已经开始在多家国外运营商的传输网络上得到应用。目前,国内运营商的部分省市公司也已经在省内传输骨干和城域网部署了ASON网络。为了吸取国外运营商在ASON网络运营中的经验、开阔思路,对ASON网络结构、业务应用、运营维护以及最新的技术发展能够有更加深入的了解,本文对国外主要运营商的ASON网络进行了总结和介绍,其中重点介绍了AT&T的ASON网络。  相似文献   
9.
本文探讨了包含异质结和晶格加热效应下非等温能量平衡模型(NEB),且将其用于AlGaAs/GaAs HBT的数值分析中.并在二维器件模拟器中实现。通过与用简单的模型计算得到结果比较得出:NEB模型能更好说明实验得到的结论。  相似文献   
10.
报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5%的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽,其中器件的台面面积为50×50mm2。  相似文献   
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