砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定

本工作系统地探索了各种腐蚀剂对砷化镓及锑化铟的腐蚀速度,建立了无火焰原子吸收法直接测定砷化镓体材料、砷化镓和锑化铟外延层中的碲.方法准确、快速,满足于材料工艺的要求.     

采用双层石英管道减少工艺中的沾污

采用无火焰原子吸收光谱法测定双层管道各部位石英中金属杂质的含量,指出双层石英管道能阻挡高温下炉衬耐火材料中的金属杂质(尤其是钠、铝)通过石英管道的扩散,减少了热氧化工艺中杂质的沾污;并证明采用氯化氢“清洗”管道对减少杂质的沾污是有效的。     

石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂

本工作采用 P-E 5000型原子吸收光谱仪附 HGA-500型石墨炉,探索了铂族金属的测定方法.对Ru、Rh、Pd、Ir及Pt,测定灵敏度分别为5.8 × 10~(-11)、2.8×10~(-11)、2.6×10~(-11)、2.8×10~(-10)和1.8 × 10~(-10)克;在灵敏度附近,各元素的测定相对标准偏差不超过 9％. 本文所建立的方法灵敏、准确,能满足微量硅样品中的痕量铂族金属掺杂剂的分析.     

高纯气体中痕量金属杂质的测定

本工作深入研究了高纯氮、氢、氯化氢、氨、硼烷、硅烷、砷烷及磷烷中钼、钙、铬、铜、铁、钾、锰、钠、铅和锌十种常见金属杂质的测定方法,解决了易燃、易爆及剧毒气体的取样,溶液的吸收条件及基体分离等问题.建立了无火焰原子吸收光谱法测定ng·g~(-1)量级的杂质,方法灵敏,简便,对生产及研制工艺将起积极的指导作用.     

高纯水、硅及硅表面二氧化硅薄膜中痕量钠的原子吸收分光光度法测定

建立了无火焰原子吸收分光光度法对高纯水、高纯硅及硅表面二氧化硅薄膜中痕量钠的测定方法.在局部净化,严格的试剂提纯及操作的情况下,可以达到试剂及空白稳定,适宜测定高纯硅及硅表面二氧化硅薄膜中毫微克级的钠含量,对高纯水中的钠可直接测定到0.1毫微克/毫升,在停气状态下检出极限可达2×10~-(12)克钠.方法简便、快速、准确、灵敏,经大量的样品分析检验,本方法能满足大规模集成电路生产工艺中钠离子沾污的测定.     

大规模集成电路工艺所用洗涤剂与二氧化硅抛光液中金属杂质的测定

大规模集成电路工艺所用的基础材料对其质量要有一定的要求。若材料中杂质含量太大,在工艺过程中由此引入的杂质会对器件产生不良影响。为了赶超世界水平,大规模集成电路工艺所用的基础材料,例如:洗涤剂、二氧化硅抛光液国内进行了试制生产。我们采用原子吸收分光光度法测定洗涤剂、二氧化硅抛光液中金属杂质,为这些产品立足国内生产赶超国外产品提供质量依据。