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Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。 相似文献
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综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,漏电流从28.2μA降低到9.8μA。 相似文献
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Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷的显微组织和电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。结果表明,Y2O3掺杂摩尔分数在0~1.00%时,压敏瓷的电位梯度为332~597V/mm,非线性系数为23.6~40.1,漏电流为0.06~0.90μA。当Y2O3掺杂摩尔分数为0.60%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,压敏瓷电位梯度为482V/mm,非线性系数为35,漏电流为0.17μA。掺杂Y2O3使压敏瓷晶粒细化是由于Y2O3或者单独以Y2O3氧化物形式存在,钉扎在晶界,阻碍晶粒长大;或者与Bi2O3固溶形成含Y的富铋相,使Bi2O3促进晶粒生长的作用受到抑制。 相似文献
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