用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管

制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓度高达5×10~(20)cm~(-3)的掺碳 GaAs 材料也同样得到了理想系数为1.3的良好的 I—V 特性。用 EBIC 和光谱     

平板显示市场预报

平板信息显示器将在今后的七年中,在世界范围内每年增长25%。这是由斯坦福资源有限公司《平板信息显示—1985》的一份报告提供的。报告指出:这将使市场从1985年的2.27 亿美元增加到1992年的9.84亿美元.微型电子计算机被视为应用的主要方面.到1992年,它将有可能占去美国平板显示器市场的三分之二。在应用上特定的、轻便的终端将是今后最重要的领域。同时。显示电话是增长速度最快的领域之一。     

40字符蓝绿显示器

英国 Pulseview 有限公研制的40字符智能真空荧光管的高性能蓝/绿显示器将驱动器和电源部分全部集成在一块单板上。这个器件本身有自己的微处理系统控制显示行的扫描和确保稳定地显示光点图形。PUS35—05—40型器件以5×7点的形式给出40个54mm 的字符。可实现96个 ASCⅡ字符,并可进一步实现128个由使用者确定的字符。这种显示器只需5V 的电源,通过软件可选择     

氟化物晶体中二价钇离子的光导和荧光特性

SrF_2:Yb~(2+)和 BaF_2:Eu~(2+)系统中的杂质薄膜激子导致了“异常”发射现象,这是这些材料的最低激发态,对这种“异常”发射进行光导测量是非常重要的。尤其是在SrF_2:Yb~(2+)光导谱中,对应于第一吸收带的两个带明显地分离。低温下,这两个带分别被确定为 Tm 自离化和激子能级。随着温     

利用平板显示器识别透明片上的手迹

利用平板显示器识别透明片上的手迹可成为输入和编辑工作的有力工具。试验结果也揭示了诸如视差、指示笔的形状和特性以及落笔方问等方面的问题。同时,以典型的1/4英寸高的笔迹字符为标准,确定了透明片的分辨率,精确度和取样速度。目前,我们专门制作了一个实验装置来     

荧光屏的制作方法

本专利是阴极射线管荧光屏的一种新制备方法。在制做阴极射线管荧光屏的方法中,以往都是利用光粘附性来形成粉末薄层。在这种工艺中,利用受光作用时呈现粘附性的保     

低温汽相生长CdTe

一、引言近来人们的注意力都集中在低温生长Ⅱ—Ⅵ族化合物上,这是由于确定这些化合物的本征特性需要高质量的晶体。在低温生长的诸多方法中,MBE,MOCVD,以及液相或汽相外延生长是众所周知的,然而,在相对低的温度下用升华法生长晶体也受到注意。     

涂敷正硼酸铟发光材料的阴极射线管

该项美国专利是在阴极射线管上涂敷正硼酸铟发光材料而制成的发光屏。美国专利(专利号:3,394,084)已涉及了涂有正硼酸铟发光材料的阴极射线管.这种发光材料的基质晶格是 InBO_3,由镧系元素激活,激活剂代替了晶格中的一部份铟。但适于     

专利选报

灯用玻壳玻壳的组成不含 Na_2O,K_2O 和 Pb 的氧化物,它具有≥1的合成玻璃形成具有 W 形灯丝的真空密封。这种玻壳的组分是:SiO_2 35—41,MgO_4—10,B_2O_3 12—18,CaO 2—6Al_2O_3 12—18,BaO SrO2—10,ZnO10—22和 Sb_2O_3 0—0.5wt.%。含有此合成物的玻璃对含有高浓渡的 BaO 和低浓度的 Al_2O_3的合成物热胀系数是(38—44)×10~(-7)/Kvs.(48—58)×10~(-7)/K。(CA Vol.105 65133)     

如何确定CRT的图象质量及系统性能

CRT 图象质量和系统性能的指标包括诸如分辨率(斑点尺寸和形状、线宽、MTF)、会聚度、亮度、动态范围、光栅形状、线性颜色纯度特性,等等。一旦确定了定义(可寻址象素,扫描速率,输入信号特性等),要实现这些性能就需要对屏幕尺寸、偏转